基于低能量离子注入调控石墨烯纳米带结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511162288.7

申请日：

2025-08-19

公开(公告)号：

CN121005395A

公开(公告)日：

2025-11-25

发明(设计)人：

杨雪晴赵之文赵浩宇张纪元李春晓周昱晨巩凤凡刘志浩詹高磊

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

C01B32/184

IPC分类号：

C01B32/194 B82Y40/00

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司 32412

代理人：

黄晨

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	公开	公开
2025-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/184申请日:20250819

共 50 条

[1]

基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法 [P].

狄增峰 ;

王刚 ;

张苗 ;

陈达 ;

叶林 ;

郭庆磊 ;

丁古巧 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN103247520A ,2013-08-14

[2]

一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法 [P].

狄增峰 ;

王刚 ;

张苗 ;

陈达 ;

丁古巧 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN102703988A ,2012-10-03

[3]

石墨烯纳米带的制备方法 [P].

周明杰 ;

袁新生 ;

王要兵 ;

吴凤 .

中国专利 :CN103935979A ,2014-07-23

[4]

可提供低能注入离子的石墨烯处理装置 [P].

王浩敏 ;

王祎博 ;

王慧山 ;

姜程鑫 ;

王伟 .

中国专利 :CN116110771B ,2025-08-01

[5]

一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法 [P].

赵子强 ;

赵云彪 ;

付恩刚 ;

王绪 ;

韩冬 .

中国专利 :CN108364856A ,2018-08-03

[6]

一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法 [P].

张苗 ;

高敏 ;

韩晓雯 ;

贾鹏飞 ;

薛忠营 ;

狄增峰 .

中国专利 :CN108862252A ,2018-11-23

[7]

石墨烯纳米带的制备方法 [P].

周明杰 ;

袁新生 ;

王要兵 ;

吴凤 .

中国专利 :CN103935980B ,2014-07-23

[8]

石墨烯纳米带的制备方法 [P].

史志文 ;

吕博赛 ;

陈佳俊 ;

娄硕 .

中国专利 :CN115072711A ,2022-09-20

[9]

石墨烯纳米带的制备方法 [P].

周明杰 ;

袁新生 ;

王要兵 ;

钟辉 .

中国专利 :CN103879991A ,2014-06-25

[10]

石墨烯纳米带的制备方法 [P].

周明杰 ;

袁新生 ;

王要兵 ;

刘大喜 .

中国专利 :CN103879992B ,2014-06-25

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