多层电子组件及介电材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510077122.9

申请日：

2025-01-17

公开(公告)号：

CN120356779A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

金相祐郑雪雅

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G4/30

IPC分类号：

H01G4/12

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

赵伟;包国菊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件以及介电材料 [P].

具本亨 ;

尹硕晛 ;

权亨纯 ;

尹秉吉 ;

金世容 ;

张玟祯 ;

金建会 ;

李炳虎 .

韩国专利 :CN120183900A ,2025-06-20

[2]

多层电子组件以及介电材料 [P].

朴柩玧 ;

朴一丁 ;

陈慧珍 ;

金亨旭 ;

权亨纯 .

韩国专利 :CN120033002A ,2025-05-23

[3]

介电组合物、介电材料和多层电子组件 [P].

朴宰成 ;

金亨旭 ;

权亨纯 ;

金锺翰 ;

金正烈 .

中国专利 :CN112542317A ,2021-03-23

[4]

介电材料及使用该介电材料的多层陶瓷电子组件 [P].

尹硕晛 ;

金东勳 ;

金珍友 .

中国专利 :CN113764181A ,2021-12-07

[5]

介电材料和包括该介电材料的多层陶瓷电子组件 [P].

朴宰成 ;

田喜善 ;

徐仁泰 ;

全炯俊 ;

李忠垠 ;

金锺翰 .

中国专利 :CN114694959A ,2022-07-01

[6]

多层电子组件和介电组合物 [P].

权亨纯 ;

金亨旭 ;

陈慧珍 ;

具本亨 .

韩国专利 :CN120032999A ,2025-05-23

[7]

多层电子组件和介电组合物 [P].

咸泰瑛 .

中国专利 :CN114628155A ,2022-06-14

[8]

多层电子组件和介电组合物 [P].

金庆植 ;

李钟焕 ;

朴柾玧 ;

咸泰瑛 ;

徐仁泰 ;

朴宰成 .

中国专利 :CN114678218A ,2022-06-28

[9]

多层电子组件和介电组合物 [P].

尹硕晛 ;

金珍友 ;

田仁浩 ;

李朱熙 .

中国专利 :CN115376826A ,2022-11-22

[10]

介电组合物和多层电子组件 [P].

尹基明 ;

郑东俊 ;

朴宰成 ;

咸泰瑛 ;

权亨纯 ;

金钟翰 ;

金亨旭 .

中国专利 :CN109748581B ,2019-05-14

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