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一种(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜原位退火装置及方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510531147.1
申请日：
2025-04-25
公开(公告)号：
CN120384269A
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
李阳 岳林凯 徐梦凡 张百涛
申请人：
山东大学
申请人地址：
250100 山东省济南市历城区山大南路27号
IPC主分类号：
C23C14/58
IPC分类号：
C23C14/56 C23C14/28 C23C14/08 C23C14/54
代理机构：
济南圣达知识产权代理有限公司 37221
代理人：
任金存
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 授权 授权
2025-07-29 公开 公开
2025-08-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/58申请日:20250425
共 50 条
[1]
一种(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜原位退火装置及方法 [P]. 
李阳 ;
岳林凯 ;
徐梦凡 ;
张百涛 .
中国专利 :CN120384269B ,2025-11-04
[2]
一种TiO<sub>2</sub>/W<sub>x</sub>V<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>/ZrO<sub>2</sub>多层薄膜智能节能涂层系统及其制备方法 [P]. 
卢寅梅 ;
何云斌 ;
何子龙 ;
于嘉诚 ;
李派 ;
黎明锴 ;
陈剑 ;
徐文峰 .
中国专利 :CN119710548A ,2025-03-28
[3]
一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga<sub>(3x+2y)</sub><sub>/</sub><sub>3</sub>N<sub>x</sub>O<sub>y</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
闫硕轩 ;
秦福文 ;
马春雨 .
中国专利 :CN121001386A ,2025-11-21
[4]
一种Mo<sub>x</sub>B<sub>1-x</sub>S<sub>2</sub>薄膜材料及其制备方法和用途 [P]. 
冯晴亮 ;
王肖剑 ;
刘锴 ;
李怡昕 .
中国专利 :CN121046938A ,2025-12-02
[5]
一种柔性Ag<sub>2</sub>Te<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>纳米线薄膜及其制备方法 [P]. 
孟秋风 ;
王光晨 ;
杜永 .
中国专利 :CN118900613A ,2024-11-05
[6]
一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P]. 
唐家轩 ;
徐锋 ;
徐桂舟 ;
陈喜 ;
陈雨莹 .
中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01
[7]
一种提高CuCr<sub>1</sub><sub>-x</sub>Zn<sub>x</sub>O<sub>2</sub>多晶溅射靶材电性能的方法 [P]. 
孟佳源 ;
虞澜 .
中国专利 :CN118326506A ,2024-07-12
[8]
一种Al<sub>1-x</sub>Sc<sub>x</sub>N薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
谢淑红 ;
戴鑫 ;
朱芸 ;
邹代峰 ;
丁国安 ;
储梦皓 ;
李笑宇 ;
曹文军 .
中国专利 :CN120989595A ,2025-11-21
[9]
一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
陈旭 ;
孟冬冬 ;
葛坤鹏 ;
陈政委 .
中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31
[10]
一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P]. 
陈旭 ;
孟冬冬 ;
葛坤鹏 ;
陈政委 .
中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16
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