一种拉制矩形硅单晶用的非矩形或非圆形横截面的石英坩埚及用直拉法生长矩形硅单晶锭的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510450092.1

申请日：

2025-04-11

公开(公告)号：

CN119956473B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

梁勇闫洪嘉许堃张鹏彭郑楠舒晓艳

申请人：

苏州晨晖智能设备有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号G3-2401

IPC主分类号：

C30B15/10

IPC分类号：

C30B29/06 C30B15/20

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

刘晓妮

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	公开	公开
2025-07-18	授权	授权
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/10申请日:20250411

共 50 条

[1]

一种拉制矩形硅单晶用的非矩形或非圆形横截面的石英坩埚及用直拉法生长矩形硅单晶锭的方法 [P].

梁勇 ;

闫洪嘉 ;

许堃 ;

张鹏 ;

彭郑楠 ;

舒晓艳 .

中国专利 :CN119956473A ,2025-05-09

[2]

一种直拉硅单晶用石英坩埚及用直拉法生长硅单晶锭的方法 [P].

张鹏 ;

许堃 ;

闫洪嘉 ;

梁勇 ;

吴松 .

中国专利 :CN119956474B ,2025-07-08

[3]

一种直拉硅单晶用石英坩埚及用直拉法生长硅单晶锭的方法 [P].

张鹏 ;

许堃 ;

闫洪嘉 ;

梁勇 ;

吴松 .

中国专利 :CN119956474A ,2025-05-09

[4]

直拉法制备矩形硅单晶锭的装置、方法及硅单晶锭 [P].

李涛勇 ;

李林东 ;

许堃 ;

张鹏 .

中国专利 :CN118516745A ,2024-08-20

[5]

直拉法制备矩形硅单晶锭的装置、方法及硅单晶锭 [P].

李涛勇 ;

李林东 ;

许堃 ;

张鹏 .

中国专利 :CN118516745B ,2024-09-27

[6]

直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法 [P].

闫洪嘉 ;

李涛勇 .

中国专利 :CN121204806A ,2025-12-26

[7]

一种石英坩埚及其采用石英坩埚拉制硅单晶的方法 [P].

陈培杰 ;

马国瑞 ;

霍志强 ;

王凯 ;

许建 ;

郭谦 ;

刘有益 ;

高润飞 ;

高树良 ;

谷守伟 .

中国专利 :CN109267147A ,2019-01-25

[8]

一种用于直拉硅单晶生长的双层坩埚 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN202380124U ,2012-08-15

[9]

一种直拉法生长硅单晶的热场装置 [P].

王琳 ;

郝小平 ;

叶慧慧 ;

樊世飞 .

中国专利 :CN218147034U ,2022-12-27

[10]

一种半导体级硅单晶生长用石英坩埚及其制备方法 [P].

黄永恩 ;

范桂林 ;

黄肖楠 .

中国专利 :CN121065810A ,2025-12-05

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