共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构及半导体结构的制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110959656.6
申请日：
2021-08-20
公开(公告)号：
CN115708189B
公开(公告)日：
2025-07-25
发明(设计)人：
范增焰
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/48
IPC分类号：
H01L21/768
H01L23/498
H01L23/522
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-25 | 授权 | 授权 |