包括钝化层的发光二极管前体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080038367.6

申请日：

2020-05-19

公开(公告)号：

CN113875030B

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

金峻渊穆赫辛·阿齐兹约翰·香农凯文·斯特里利伊恩·丹尼尔斯

申请人：

普列斯半导体有限公司

申请人地址：

英国德文郡

IPC主分类号：

H10H20/84

IPC分类号：

H10H20/825 H10H20/816 H10H20/01 H10H29/14

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

殷爽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

包括钝化层的发光二极管前体 [P].

金峻渊 ;

穆赫辛·阿齐兹 ;

约翰·香农 ;

凯文·斯特里利 ;

伊恩·丹尼尔斯 .

中国专利 :CN113875030A ,2021-12-31

[2]

具有钝化层的发光二极管 [P].

扎比内·沃马多普 ;

马库斯·毛特 .

中国专利 :CN105283967B ,2016-01-27

[3]

发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列 [P].

李建和 ;

崔炳均 .

中国专利 :CN107112394A ,2017-08-29

[4]

发光二极管以及包括该发光二极管的灯丝发光二极管灯 [P].

李剡劤 .

中国专利 :CN108538985A ,2018-09-14

[5]

发光二极管以及包括该发光二极管的灯丝发光二极管灯 [P].

李剡劤 .

中国专利 :CN206727099U ,2017-12-08

[6]

UV发光二极管 [P].

朴起延 ;

许政勋 ;

韩釉大 ;

韩建宇 .

中国专利 :CN113314649A ,2021-08-27

[7]

UV发光二极管 [P].

朴起延 ;

许政勋 ;

韩釉大 ;

韩建宇 .

中国专利 :CN107408602B ,2017-11-28

[8]

UV发光二极管 [P].

朴起延 ;

许政勋 ;

韩釉大 ;

韩建宇 .

韩国专利 :CN113314649B ,2024-09-10

[9]

发光二极管和形成发光二极管的方法 [P].

A·皮诺斯 ;

S·阿什顿 ;

S·梅佐阿里 .

中国专利 :CN114375500A ,2022-04-19

[10]

发光二极管和形成发光二极管的方法 [P].

A·皮诺斯 ;

S·阿什顿 ;

S·梅佐阿里 .

英国专利 :CN114375500B ,2025-10-17

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