一种同轴式DBD等离子体发生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510566869.0

申请日：

2025-04-30

公开(公告)号：

CN120434876A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

伍晨迪袁栋马明宇

申请人：

珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

519030 广东省珠海市珠海横琴新区汇通三路108号办公608

IPC主分类号：

H05H1/24

IPC分类号：

A61L2/14 A61L9/22 C01B13/11 B01D53/32

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

马永芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H05H 1/24申请日:20250430
2025-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体发生装置和用于等离子体发生装置的控制方法 [P].

孙万付 ;

王世强 ;

刘全桢 ;

唐诗雅 ;

刘宝全 ;

刘英杰 ;

牟洪祥 ;

关银霞 .

中国专利 :CN112087853A ,2020-12-15

[2]

等离子体发生装置 [P].

叶燕峰 .

中国专利 :CN205041832U ,2016-02-24

[3]

多重等离子体发生装置 [P].

安秉厦 ;

李长祐 ;

河宗勳 .

中国专利 :CN1452448A ,2003-10-29

[4]

一种低温等离子体发生装置 [P].

吕秀娟 .

中国专利 :CN216795346U ,2022-06-21

[5]

一种新型等离子体发生装置 [P].

曹修全 ;

何润东 ;

赵明波 ;

马耀明 ;

徐浩铭 .

中国专利 :CN213244445U ,2021-05-18

[6]

微波等离子体发生装置、微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法 [P].

中川清和 ;

宇佐美由久 .

日本专利 :CN119586328A ,2025-03-07

[7]

浸没式等离子体发生器及包括该浸没式等离子体发生器的应用 [P].

郭宪吉 .

韩国专利 :CN113366921B ,2024-06-11

[8]

浸没式等离子体发生器及包括该浸没式等离子体发生器的应用 [P].

郭宪吉 .

中国专利 :CN113366921A ,2021-09-07

[9]

平行板DBD等离子体发生器 [P].

吴丽 ;

张文聪 ;

余洁 ;

刘壮 ;

黄卡玛 .

中国专利 :CN110430651A ,2019-11-08

[10]

一种等离子体发生装置 [P].

程楷 ;

刘华均 ;

刘华刚 ;

林晟 ;

张建华 ;

柯辉 .

中国专利 :CN207150938U ,2018-03-27

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