闪存器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510564246.X

申请日：

2025-04-29

公开(公告)号：

CN120475717A

公开(公告)日：

2025-08-12

发明(设计)人：

王晓康吴家辉郑刚

申请人：

华虹半导体制造（无锡）有限公司

申请人地址：

214142 江苏省无锡市新吴区新洲路30-1号

IPC主分类号：

H10B41/30

IPC分类号：

H10D30/01 H10D30/68

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/30申请日:20250429
2025-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

闪存器件的制作方法 [P].

张家瑞 ;

徐杰 ;

吴志涛 ;

李小康 .

中国专利 :CN112635477A ,2021-04-09

[2]

闪存器件及其制作方法 [P].

杜怡行 ;

王壮壮 ;

王虎 ;

姚春 .

中国专利 :CN115411045A ,2022-11-29

[3]

闪存器件的制作方法 [P].

徐杰 ;

高超 ;

杜怡行 .

中国专利 :CN111129020A ,2020-05-08

[4]

闪存器件的制作方法 [P].

江进情 ;

谢锦锦 ;

张磊 .

中国专利 :CN115666134A ,2023-01-31

[5]

闪存器件的制作方法 [P].

何建禹 ;

张广冰 .

中国专利 :CN115548021A ,2022-12-30

[6]

或非闪存器件的制作方法 [P].

李小康 ;

张继亮 .

中国专利 :CN114121788A ,2022-03-01

[7]

半导体器件结构、闪存器件的制作方法 [P].

丁浩 ;

熊伟 ;

张超然 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112397391A ,2021-02-23

[8]

NORD闪存器件的制作方法 [P].

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112185972B ,2021-01-05

[9]

制作闪存器件的方法 [P].

尹基准 .

中国专利 :CN101840890A ,2010-09-22

[10]

Nord闪存器件的制作工艺 [P].

党扬 ;

张剑 ;

王辉 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114334989B ,2025-10-03

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