一种超高纯碳化硅化学气相沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422548285.4

申请日：

2024-10-22

公开(公告)号：

CN223255419U

公开(公告)日：

2025-08-22

发明(设计)人：

胡晓文王欣鲁春茂

申请人：

杭州赫瑞半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设二路858号集成电路设计产业园D幢113-13室

IPC主分类号：

C23C16/32

IPC分类号：

C23C16/458

代理机构：

西安叁陆伍政合道专利代理有限公司 61337

代理人：

刘伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅化学气相沉积设备 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN204097561U ,2015-01-14

[2]

一种碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置 [P].

梁土钦 ;

孔令沂 ;

邹雄辉 ;

李锡光 .

中国专利 :CN215163108U ,2021-12-14

[3]

一种碳化硅化学气相沉积设备及方法 [P].

戴煜 ;

胡祥龙 ;

周岳兵 .

中国专利 :CN104233221B ,2014-12-24

[4]

一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积设备 [P].

朱伟 ;

薛同磊 .

中国专利 :CN120967320A ,2025-11-18

[5]

一种化学气相沉积碳化硅设备 [P].

王琨 ;

司奇峰 ;

王慧 .

中国专利 :CN118639210A ,2024-09-13

[6]

一种碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置 [P].

白秋云 .

中国专利 :CN218372513U ,2023-01-24

[7]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备 [P].

钮应喜 ;

杨霏 ;

于坤山 .

中国专利 :CN203474963U ,2014-03-12

[8]

化学气相沉积的碳化硅制品 [P].

M·A·皮克林 ;

J·L·特里巴 ;

K·D·莱斯 .

中国专利 :CN101429048A ,2009-05-13

[9]

一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备 [P].

钮应喜 ;

杨霏 ;

于坤山 .

中国专利 :CN103603048B ,2014-02-26

[10]

一种碳化硅化学气相沉积反应器 [P].

梁土钦 ;

孔令沂 ;

李锡光 .

中国专利 :CN215757596U ,2022-02-08

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