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EUVパターニング用の金属酸化物レジスト及びその現像方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250500775
申请日
:
2023-07-21
公开(公告)号
:
JP2025528003A
公开(公告)日
:
2025-08-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/027
IPC分类号
:
G03F7/20
H01L21/3065
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
極紫外線(EUV)レジストパターニング現像のための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023549608A
,2023-11-28
[2]
金属酸化物レジストの反応現像のための酸[ja]
[P].
日本专利
:JP2025526562A
,2025-08-15
[3]
蒸着金属酸化物含有ハードマスクのEUVフォトパターニング[ja]
[P].
日本专利
:JP6902849B2
,2021-07-14
[4]
蒸着金属酸化物含有ハードマスクのEUVフォトパターニング[ja]
[P].
日本专利
:JP7282830B2
,2023-05-29
[5]
パターニングされた金属酸化物フォトレジストの線量減少[ja]
[P].
日本专利
:JP7524303B2
,2024-07-29
[6]
パターニングされた金属酸化物フォトレジストの線量減少[ja]
[P].
日本专利
:JP2022542170A
,2022-09-29
[7]
酸化物トランジスタ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025517297A
,2025-06-05
[8]
酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6501008B2
,2019-04-17
[9]
酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6390142B2
,2018-09-19
[10]
金属酸化物薄膜トランジスタの再生アニール[ja]
[P].
日本专利
:JP2025516865A
,2025-05-30
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