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半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20240227926
申请日：
2024-12-24
公开(公告)号：
JP2025126126A
公开(公告)日：
2025-08-28
发明(设计)人：
YOON JIHYUN JANG SEUNGWOO SHIN SEUNG-WOOK KIM MINHYE OH KYOUNGAH
申请人：
SAMSUNG SDI CO LTD
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/004
IPC分类号：
G03F7/20
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025130023A ,2025-09-05
[2]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
CHOI JUNG MIN ;
HAN JOONHEE ;
IM SANGKYUN ;
MOON SUNGIL ;
BAEK JAEYEOL ;
OH BUKEUN ;
SHI KUSHUN .
日本专利 :JP2025106187A ,2025-07-15
[3]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
JANG SUMIN ;
OH BUKEUN ;
KANG EUNMI ;
LEE CHUNGHEON ;
SHIN SEUNG-WOOK ;
LIM WANHEE .
日本专利 :JP2025106189A ,2025-07-15
[4]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
KIM JIMIN ;
SHIN SEUNG-WOOK ;
KANG EUNMI ;
SEO YAEUN ;
JANG SUMIN ;
U MASAHIDE ;
LEE MINYOUNG .
日本专利 :JP2025125508A ,2025-08-27
[5]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
SEONG TAEGEUN ;
JANG SUMIN ;
LIM SEOL HEE ;
KANG EUNMI ;
SEO YAEUN ;
SHIN SEUNG-WOOK .
日本专利 :JP2025125507A ,2025-08-27
[6]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
RYU DONG-WAN ;
KIM YOUNG KEUN ;
LIM SEOL HEE ;
LIM SOOBIN ;
KANG SUKIL .
日本专利 :JP2024152614A ,2024-10-25
[7]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025146682A ,2025-10-03
[8]
半導体フォトレジスト用組成物、およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025170746A ,2025-11-19
[9]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023529344A ,2023-07-10
[10]
半導体フォトレジスト用組成物、およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025175946A ,2025-12-03
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