高灵敏度的硅基压阻式压力传感器及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511163514.3

申请日：

2025-08-20

公开(公告)号：

CN120651395A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

李迎辉李永清何方张治国郑浩祝永峰任向阳贾文博刘美华王文佐李昌振国嘉程陈文彬王卉如刘永祥

申请人：

沈阳仪表科学研究院有限公司

申请人地址：

110168 辽宁省沈阳市浑南区李巴彦路8号

IPC主分类号：

G01L1/20

IPC分类号：

G01L9/06

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

逯长明;赵云屏

法律状态：

公开

国省代码：

辽宁省沈阳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开
2025-10-17	授权	授权
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01L 1/20申请日:20250820

共 50 条

[1]

高灵敏度的硅基压阻式压力传感器及制作方法 [P].

李迎辉 ;

李永清 ;

何方 ;

张治国 ;

郑浩 ;

祝永峰 ;

任向阳 ;

贾文博 ;

刘美华 ;

王文佐 ;

李昌振 ;

国嘉程 ;

陈文彬 ;

王卉如 ;

刘永祥 .

中国专利 :CN120651395B ,2025-10-17

[2]

高灵敏度硅压阻压力传感器 [P].

缪建民 .

中国专利 :CN204128719U ,2015-01-28

[3]

高灵敏度硅压阻压力传感器及其制备方法 [P].

缪建民 .

中国专利 :CN104296899A ,2015-01-21

[4]

高灵敏度薄膜压力传感器 [P].

潘婷 ;

戚云娟 ;

戚龙 ;

闫军花 .

中国专利 :CN206362468U ,2017-07-28

[5]

高灵敏度压力传感器封装 [P].

拉塞尔·克拉多克 ;

马丁·马歇尔 .

中国专利 :CN111397794A ,2020-07-10

[6]

一种高灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

聂萌 ;

夏云汉 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN106017751B ,2016-10-12

[7]

一种高灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

聂萌 ;

包宏权 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN105222932A ,2016-01-06

[8]

高灵敏度硅压阻式力传感器 [P].

B.斯佩尔里奇 ;

R.A.戴维斯 .

中国专利 :CN108225626A ,2018-06-29

[9]

一种高灵敏度柔性压力传感器及制作方法 [P].

董瑛 ;

韩留洋 ;

王晓浩 .

中国专利 :CN112945429A ,2021-06-11

[10]

一种高灵敏度MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

刘巾军 ;

张瀚文 ;

马长胜 ;

邱荣贤 ;

谭欣 .

中国专利 :CN120970864A ,2025-11-18

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