処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20250023384

申请日：

2025-02-17

公开(公告)号：

JP2025129135A

公开(公告)日：

2025-09-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

C11D7/08 C11D7/26 C11D7/32 C11D7/34 C11D7/50

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共 50 条

[1]

処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025129134A ,2025-09-04

[2]

処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025170873A ,2025-11-20

[3]

半導体用処理液、該半導体用処理液を用いた基板の処理方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P].

OKISHIO MANAMI ;

NOMURA NAOTO ;

OKIMURA KOSHIRO .

日本专利 :JP2024152684A ,2024-10-25

[4]

半導体処理液及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6980952B1 ,2021-12-15

[5]

半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

KIMURA KENTA .

日本专利 :JP2024179575A ,2024-12-26

[6]

半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7407324B1 ,2023-12-28

[7]

基板の処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理用キット[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019151001A1 ,2021-01-14

[8]

処理液、これを用いた基板の処理方法、及び半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025151344A ,2025-10-09

[9]

半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014077370A1 ,2017-01-05

[10]

基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置[ja] [P].

HAMADA KEITARO ;

NISHIDA MASAYA .

日本专利 :JP2024158536A ,2024-11-08

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