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基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230073800
申请日
:
2023-04-27
公开(公告)号
:
JP2024158536A
公开(公告)日
:
2024-11-08
发明(设计)人
:
HAMADA KEITARO
NISHIDA MASAYA
申请人
:
KOKUSAI ELECTRIC CORP
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/318
IPC分类号
:
C23C16/30
H01L21/31
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019176031A1
,2020-12-17
[2]
半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019064434A1
,2020-05-28
[3]
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015045099A1
,2017-03-02
[4]
処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025129135A
,2025-09-04
[5]
処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025129134A
,2025-09-04
[6]
基板の処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理用キット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019151001A1
,2021-01-14
[7]
基板処理方法及び基板処理装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025181611A
,2025-12-11
[8]
処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025170873A
,2025-11-20
[9]
半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015145750A1
,2017-04-13
[10]
処理液、これを用いた基板の処理方法、及び半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025151344A
,2025-10-09
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