纳米管防护膜、防护膜组件、曝光原版及曝光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480008874.3

申请日：

2024-01-12

公开(公告)号：

CN120584321A

公开(公告)日：

2025-09-02

发明(设计)人：

藤村真史石川比佐子小野阳介大久保敦百濑悠

申请人：

三井化学株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

G03F1/62

IPC分类号：

C01B32/168

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟海胜;孔博

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-02	公开	公开
2025-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/62申请日:20240112

共 50 条

[1]

防护膜、防护膜组件、曝光原版以及曝光装置 [P].

矢野浩平 ;

高桥典雅 .

日本专利 :CN120359465A ,2025-07-22

[2]

曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法 [P].

小野阳介 ;

石川比佐子 ;

小川亮平 ;

大久保敦 ;

高村一夫 ;

关口贵子 ;

加藤雄一 ;

山田健郎 ;

周英 .

中国专利 :CN115398334A ,2022-11-25

[3]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法 [P].

小野阳介 .

日本专利 :CN117377909B ,2024-08-13

[4]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法 [P].

小野阳介 .

日本专利 :CN117377909A ,2024-01-09

[5]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法 [P].

小野阳介 .

日本专利 :CN118707801A ,2024-09-27

[6]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法 [P].

畦崎崇 ;

春田佳一郎 ;

佐藤靖 ;

伊藤健 ;

小野阳介 ;

藤村真史 ;

石川比佐子 .

日本专利 :CN118020023A ,2024-05-10

[7]

防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法 [P].

田中博文 ;

小野阳介 ;

石川彰 ;

佐藤靖 ;

石川比佐子 ;

藤村真史 ;

大久保敦 ;

高村一夫 .

日本专利 :CN117916662A ,2024-04-19

[8]

防护膜组件框、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法 [P].

石川彰 ;

藤村真史 ;

大久保敦 ;

高村一夫 ;

田中博文 .

日本专利 :CN118974649A ,2024-11-15

[9]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P].

小野阳介 ;

高村一夫 .

中国专利 :CN106462052A ,2017-02-22

[10]

防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、防护膜组件的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

大久保敦 ;

高村一夫 ;

石川比佐子 ;

小野阳介 ;

藤井泰久 ;

吉川弥 ;

松本信子 ;

出口朋枝 .

中国专利 :CN115004108A ,2022-09-02

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