一种基于薄膜铌酸锂光波导的宽带光子滤波器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411953457.4
申请日
2024-12-27
公开(公告)号
CN119667978B
公开(公告)日
2025-09-16
发明(设计)人
曾成 莫振武 夏金松
申请人
华中科技大学
申请人地址
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号
G02F1/03
IPC分类号
G02F1/035 G02B6/122
代理机构
华中科技大学专利中心 42201
代理人
孙杨柳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
湖北省 武汉市
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共 50 条
[1]
一种基于薄膜铌酸锂光波导的宽带光子滤波器 [P]. 
曾成 ;
莫振武 ;
夏金松 .
中国专利 :CN119667978A ,2025-03-21
[2]
一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P]. 
孙兵兵 ;
陈娟 ;
杨晓丹 .
中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30
[3]
一种基于石墨烯的铌酸锂薄膜宽带模式滤波器 [P]. 
钮云飞 ;
储涛 .
中国专利 :CN114325933A ,2022-04-12
[4]
一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法 [P]. 
曾成 ;
莫振武 ;
夏金松 ;
李炽均 .
中国专利 :CN118915228A ,2024-11-08
[5]
一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法 [P]. 
曾成 ;
莫振武 ;
夏金松 ;
李炽均 .
中国专利 :CN118915228B ,2025-09-16
[6]
一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法 [P]. 
侯松岩 ;
肖浩轩 ;
张佳骏 ;
许梦芳 ;
刘志宏 ;
张进成 ;
游淑珍 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119065060A ,2024-12-03
[7]
一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法 [P]. 
侯松岩 ;
朱铖奕 ;
刘志宏 ;
游淑珍 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN120507834A ,2025-08-19
[8]
铌酸锂光波导相位调制器 [P]. 
华勇 ;
郑远生 .
中国专利 :CN201177699Y ,2009-01-07
[9]
一种铌酸锂光波导偏振器 [P]. 
蒋海军 .
中国专利 :CN208224520U ,2018-12-11
[10]
基于铌酸锂波导光栅的波长可调谐窄带滤波器 [P]. 
张爱玲 ;
姚远 .
中国专利 :CN106597696A ,2017-04-26