一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410981109.1

申请日：

2024-07-22

公开(公告)号：

CN119065060A

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

侯松岩肖浩轩张佳骏许梦芳刘志宏张进成游淑珍郝跃

申请人：

西安电子科技大学广州研究院西安电子科技大学

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋

IPC主分类号：

G02B6/25

IPC分类号：

G03F7/00

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

马俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/25申请日:20240722
2025-08-22	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G02B 6/25变更事项:申请人变更前:西安电子科技大学广州研究院变更后:西安电子科技大学广州研究院变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:510700 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋变更后:510700 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号变更事项:申请人变更前:西安电子科技大学变更后:西安电子科技大学变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置的抛光方法 [P].

唐杰 ;

钱广 ;

孔月婵 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN111379009B ,2020-07-07

[2]

一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P].

孙兵兵 ;

陈娟 ;

杨晓丹 .

中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30

[3]

一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法 [P].

侯松岩 ;

朱铖奕 ;

刘志宏 ;

游淑珍 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120507834A ,2025-08-19

[4]

铌酸锂光波导芯片 [P].

陈亦凡 ;

黄萌 .

中国专利 :CN211180281U ,2020-08-04

[5]

铌酸锂光波导芯片 [P].

陈亦凡 ;

黄萌 .

中国专利 :CN110568551A ,2019-12-13

[6]

一种铌酸锂光波导制造方法 [P].

郑煜 ;

唐昕 ;

段吉安 .

中国专利 :CN115993682B ,2025-04-15

[7]

一种铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片 [P].

李萍 .

中国专利 :CN211786214U ,2020-10-27

[8]

一种铌酸锂薄膜光波导及其制备方法 [P].

向美华 ;

尹承静 ;

黄星武 .

中国专利 :CN116299857B ,2024-05-07

[9]

一种铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法 [P].

李萍 .

中国专利 :CN113655564A ,2021-11-16

[10]

一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构 [P].

孙立 ;

胡金鑫 ;

刘晖 .

中国专利 :CN215264117U ,2021-12-21

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