一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010364793.0

申请日：

2020-04-30

公开(公告)号：

CN111379009B

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

唐杰钱广孔月婵陈堂胜

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

IPC主分类号：

C25F320

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

王美章

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25F 3/20 申请日:20200430
2022-04-29	授权	授权
2020-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法 [P].

侯松岩 ;

肖浩轩 ;

张佳骏 ;

许梦芳 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

游淑珍 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119065060A ,2024-12-03

[2]

一种薄膜铌酸锂光波导制备方法及薄膜铌酸锂光波导 [P].

孙兵兵 ;

陈娟 ;

杨晓丹 .

中国专利 :CN121232364A ,2025-12-30

[3]

铌酸锂光波导芯片 [P].

陈亦凡 ;

黄萌 .

中国专利 :CN211180281U ,2020-08-04

[4]

铌酸锂光波导芯片 [P].

陈亦凡 ;

黄萌 .

中国专利 :CN110568551A ,2019-12-13

[5]

一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法 [P].

侯松岩 ;

朱铖奕 ;

刘志宏 ;

游淑珍 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120507834A ,2025-08-19

[6]

一种铌酸锂光波导制造方法 [P].

郑煜 ;

唐昕 ;

段吉安 .

中国专利 :CN115993682B ,2025-04-15

[7]

一种铌酸锂光波导的制备方法 [P].

孙军强 ;

周钰杰 ;

冯力群 .

中国专利 :CN102253451B ,2011-11-23

[8]

一种铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片 [P].

李萍 .

中国专利 :CN211786214U ,2020-10-27

[9]

用于铌酸锂的抛光方法 [P].

王波 ;

李晓燕 ;

凌龙 ;

王从学 .

中国专利 :CN118305647A ,2024-07-09

[10]

一种铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法 [P].

李萍 .

中国专利 :CN113655564A ,2021-11-16

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