一种补偿降低宽禁带半导体材料掺杂激活能的方法及宽禁带半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510859648.2

申请日：

2025-06-25

公开(公告)号：

CN120674306A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

黎大兵石芝铭马晓宝蒋科孙晓娟贲建伟张山丽

申请人：

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L21/225

IPC分类号：

代理机构：

长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218

代理人：

张羽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/225申请日:20250625
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

宽禁带半导体器件 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN204067370U ,2014-12-31

[2]

宽禁带半导体器件 [P].

刘伟 ;

邓云 ;

唐斌 ;

薛勇 .

中国专利 :CN119170634A ,2024-12-20

[3]

宽禁带半导体材料的生长和分离方法 [P].

王嘉 ;

秦宇航 .

中国专利 :CN105390571A ,2016-03-09

[4]

一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法 [P].

罗光富 ;

刘凯 .

中国专利 :CN112233973A ,2021-01-15

[5]

一种宽禁带半导体的掺杂方法 [P].

黄升晖 .

中国专利 :CN107622941A ,2018-01-23

[6]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[7]

一种全新集成宽禁带半导体材料电子芯片 [P].

王晓波 .

中国专利 :CN118198121A ,2024-06-14

[8]

氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途与制备方法 [P].

雷力 ;

张雷雷 .

中国专利 :CN106085436B ,2016-11-09

[9]

宽禁带半导体元胞结构及半导体器件 [P].

魏进 ;

杨俊杰 ;

常昊 .

中国专利 :CN119653812A ,2025-03-18

[10]

一种宽禁带半导体器件结构及制备方法 [P].

郝梦龙 ;

邹子文 ;

孙一苇 .

中国专利 :CN118099112A ,2024-05-28

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