一种透明导电材料层的蚀刻方法、LED芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510751066.2

申请日：

2025-06-06

公开(公告)号：

CN120603400A

公开(公告)日：

2025-09-05

发明(设计)人：

刘伟邬新根何剑李敏华王锐王恩泽高俊

申请人：

厦门乾照光电股份有限公司

申请人地址：

361101 福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/84

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-05	公开	公开
2025-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20250606

共 50 条

[1]

ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法 [P].

杨建国 ;

卜浩礼 ;

杨东 ;

杨天鹏 ;

陈向东 ;

郗萌 ;

邹浩洪 ;

周荣 ;

康建 .

中国专利 :CN114649457B ,2024-08-06

[2]

ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法 [P].

杨建国 ;

卜浩礼 ;

杨东 ;

杨天鹏 ;

陈向东 ;

郗萌 ;

邹浩洪 ;

周荣 ;

康建 .

中国专利 :CN114649457A ,2022-06-21

[3]

一种透明导电层及其制备方法、LED芯片 [P].

张星星 ;

汪恒青 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117423784A ,2024-01-19

[4]

透明导电材料及其制作方法及透明导电膜的制作方法 [P].

张霞 ;

邵源 ;

刘刚 ;

陈孝贤 .

中国专利 :CN110079057B ,2019-08-02

[5]

具有透明导电层复合膜组的LED芯片及其制作方法 [P].

刘兆 ;

吕奇孟 ;

魏振东 ;

杨国武 ;

霍子曦 ;

曹衍灿 ;

唐浩 ;

胡慧琴 .

中国专利 :CN108470809A ,2018-08-31

[6]

ITO的完整蚀刻方法及LED芯片制作方法 [P].

高俊民 ;

许键 ;

吴伟东 ;

李爱玲 ;

成涛 ;

王占伟 ;

于海莲 .

中国专利 :CN104347772A ,2015-02-11

[7]

一种低阻值高穿透透明导电层的制作方法及LED芯片 [P].

许晏铭 ;

彭钰仁 .

中国专利 :CN110707185A ,2020-01-17

[8]

一种复合透明导电电极的LED芯片制作方法 [P].

李方芳 ;

郝锐 ;

许德裕 ;

王波 ;

罗长得 ;

易翰翔 ;

刘洋 .

中国专利 :CN104505445B ,2015-04-08

[9]

LED芯片制作方法 [P].

李忠武 ;

魏天使 ;

何金霞 .

中国专利 :CN103633205A ,2014-03-12

[10]

一种层状透明导电层LED芯片的制备方法 [P].

刘英策 ;

吴大可 ;

火东明 .

中国专利 :CN102832299A ,2012-12-19

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