具有透明导电层复合膜组的LED芯片及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810521075.2
申请日
2018-05-28
公开(公告)号
CN108470809A
公开(公告)日
2018-08-31
发明(设计)人
刘兆 吕奇孟 魏振东 杨国武 霍子曦 曹衍灿 唐浩 胡慧琴
申请人
申请人地址
330103 江西省南昌市新建区望城新区璜溪大道19号十楼1069室
IPC主分类号
H01L3344
IPC分类号
H01L3332 H01L3306 H01L3300
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
王宝筠
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片 [P]. 
刘兆 ;
吕奇孟 ;
魏振东 ;
杨国武 ;
霍子曦 ;
曹衍灿 ;
唐浩 ;
胡慧琴 .
中国专利 :CN208240713U ,2018-12-14
[2]
ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法 [P]. 
杨建国 ;
卜浩礼 ;
杨东 ;
杨天鹏 ;
陈向东 ;
郗萌 ;
邹浩洪 ;
周荣 ;
康建 .
中国专利 :CN114649457B ,2024-08-06
[3]
ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法 [P]. 
杨建国 ;
卜浩礼 ;
杨东 ;
杨天鹏 ;
陈向东 ;
郗萌 ;
邹浩洪 ;
周荣 ;
康建 .
中国专利 :CN114649457A ,2022-06-21
[4]
一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制作方法 [P]. 
曲晓东 ;
谭桂英 ;
陈凯轩 ;
李敏华 ;
崔恒平 ;
江土堆 ;
赵斌 ;
杨克伟 .
中国专利 :CN118033979A ,2024-05-14
[5]
一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制作方法 [P]. 
曲晓东 ;
谭桂英 ;
陈凯轩 ;
李敏华 ;
崔恒平 ;
江土堆 ;
赵斌 ;
杨克伟 .
中国专利 :CN118033979B ,2025-10-03
[6]
LED芯片及其制作方法 [P]. 
姚禹 ;
郑远志 ;
陈向东 ;
康建 ;
梁旭东 .
中国专利 :CN104485405B ,2015-04-01
[7]
用于LED芯片的透明导电层及LED芯片 [P]. 
张卡 ;
曹丹丹 ;
康龙 ;
胡瑶 ;
董国庆 ;
文国昇 ;
金从龙 .
中国专利 :CN220753459U ,2024-04-09
[8]
一种透明导电材料层的蚀刻方法、LED芯片及其制作方法 [P]. 
刘伟 ;
邬新根 ;
何剑 ;
李敏华 ;
王锐 ;
王恩泽 ;
高俊 .
中国专利 :CN120603400A ,2025-09-05
[9]
一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法 [P]. 
曲晓东 ;
陈凯轩 ;
赵斌 ;
林志伟 .
中国专利 :CN110299438B ,2024-07-05
[10]
一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法 [P]. 
曲晓东 ;
陈凯轩 ;
赵斌 ;
林志伟 .
中国专利 :CN110299438A ,2019-10-01