一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910702183.4

申请日：

2019-07-31

公开(公告)号：

CN110299438A

公开(公告)日：

2019-10-01

发明(设计)人：

曲晓东陈凯轩赵斌林志伟

申请人：

申请人地址：

361001 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3346

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-01	公开	公开
2019-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/44 申请日:20190731

共 50 条

[1]

一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法 [P].

曲晓东 ;

陈凯轩 ;

赵斌 ;

林志伟 .

中国专利 :CN110299438B ,2024-07-05

[2]

一种具有高反射率复合膜的LED芯片 [P].

曲晓东 ;

陈凯轩 ;

赵斌 ;

林志伟 .

中国专利 :CN209880645U ,2019-12-31

[3]

具有透明导电层复合膜组的LED芯片及其制作方法 [P].

刘兆 ;

吕奇孟 ;

魏振东 ;

杨国武 ;

霍子曦 ;

曹衍灿 ;

唐浩 ;

胡慧琴 .

中国专利 :CN108470809A ,2018-08-31

[4]

一种高反射率的LED芯片及其制备方法 [P].

茹浩 ;

秦友林 ;

鲁洋 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118943259A ,2024-11-12

[5]

一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制作方法 [P].

曲晓东 ;

谭桂英 ;

陈凯轩 ;

李敏华 ;

崔恒平 ;

江土堆 ;

赵斌 ;

杨克伟 .

中国专利 :CN118033979A ,2024-05-14

[6]

一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制作方法 [P].

曲晓东 ;

谭桂英 ;

陈凯轩 ;

李敏华 ;

崔恒平 ;

江土堆 ;

赵斌 ;

杨克伟 .

中国专利 :CN118033979B ,2025-10-03

[7]

一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法 [P].

王兵 .

中国专利 :CN107863425A ,2018-03-30

[8]

一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法 [P].

王兵 .

中国专利 :CN107863425B ,2024-05-31

[9]

一种复合膜及制作复合膜的制作方法 [P].

黄斗兴 ;

曹慧芬 ;

方昊 .

中国专利 :CN112537100B ,2025-02-14

[10]

一种复合膜及制作复合膜的制作方法 [P].

黄斗兴 ;

曹慧芬 ;

方昊 .

中国专利 :CN112537100A ,2021-03-23

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