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半导体装置以及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110558119.0
申请日：
2021-05-21
公开(公告)号：
CN115377181B
公开(公告)日：
2025-09-09
发明(设计)人：
蔡明桦 韩蓉 李明锜 林志谋 洪裕祥 林煜翔 施子琅
申请人：
联华电子股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D64/27 H10D30/60
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
陈小雯
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-09 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体装置以及其制作方法 [P]. 
蔡明桦 ;
韩蓉 ;
李明锜 ;
林志谋 ;
洪裕祥 ;
林煜翔 ;
施子琅 .
中国专利 :CN115377181A ,2022-11-22
[2]
半导体装置以及其制作方法 [P]. 
熊昌铂 ;
杨庆忠 ;
黄善禧 ;
李信宏 ;
李年中 ;
李文芳 ;
李秋德 ;
许智凯 ;
邱淳雅 ;
陈金宏 ;
许嘉榕 ;
傅思逸 ;
林毓翔 .
中国专利 :CN114188409B ,2025-11-21
[3]
半导体装置以及其制作方法 [P]. 
熊昌铂 ;
杨庆忠 ;
黄善禧 ;
李信宏 ;
李年中 ;
李文芳 ;
李秋德 ;
许智凯 ;
邱淳雅 ;
陈金宏 ;
许嘉榕 ;
傅思逸 ;
林毓翔 .
中国专利 :CN114188409A ,2022-03-15
[4]
高压半导体装置以及其制作方法 [P]. 
杨宗祐 ;
李信宏 ;
李年中 ;
熊昌铂 .
中国专利 :CN114695549B ,2025-09-05
[5]
高压半导体装置以及其制作方法 [P]. 
杨宗祐 ;
李信宏 ;
李年中 ;
熊昌铂 .
中国专利 :CN114695549A ,2022-07-01
[6]
半导体装置以及其制作方法 [P]. 
张豪轩 ;
钟耀贤 ;
蔡馥郁 .
中国专利 :CN115602720A ,2023-01-13
[7]
半导体装置以及其制作方法 [P]. 
邱劲砚 ;
蔡纬撰 ;
柯贤文 ;
易延才 .
中国专利 :CN120417415A ,2025-08-01
[8]
半导体装置以及其制作方法 [P]. 
张豪轩 ;
钟耀贤 ;
蔡馥郁 .
中国专利 :CN109755132A ,2019-05-14
[9]
半导体装置以及其制作方法 [P]. 
李翔 ;
陈鼎龙 .
中国专利 :CN113823676A ,2021-12-21
[10]
半导体结构以及其制作方法 [P]. 
林俊豪 .
中国专利 :CN117810225A ,2024-04-02
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