半导体装置以及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410196466.7

申请日：

2024-02-22

公开(公告)号：

CN120417415A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

邱劲砚蔡纬撰柯贤文易延才

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D64/27 H10D62/10

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王丹丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20240222
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及其制作方法 [P].

张豪轩 ;

钟耀贤 ;

蔡馥郁 .

中国专利 :CN115602720A ,2023-01-13

[2]

半导体装置以及其制作方法 [P].

张豪轩 ;

钟耀贤 ;

蔡馥郁 .

中国专利 :CN109755132A ,2019-05-14

[3]

半导体装置以及半导体装置的制作方法 [P].

山崎舜平 ;

高山彻 ;

丸山纯矢 ;

大野由美子 .

中国专利 :CN1708853A ,2005-12-14

[4]

半导体装置以及其制作方法 [P].

蔡明桦 ;

韩蓉 ;

李明锜 ;

林志谋 ;

洪裕祥 ;

林煜翔 ;

施子琅 .

中国专利 :CN115377181A ,2022-11-22

[5]

半导体装置以及其制作方法 [P].

李翔 ;

陈鼎龙 .

中国专利 :CN113823676A ,2021-12-21

[6]

半导体装置以及其制作方法 [P].

熊昌铂 ;

杨庆忠 ;

黄善禧 ;

李信宏 ;

李年中 ;

李文芳 ;

李秋德 ;

许智凯 ;

邱淳雅 ;

陈金宏 ;

许嘉榕 ;

傅思逸 ;

林毓翔 .

中国专利 :CN114188409B ,2025-11-21

[7]

半导体装置以及其制作方法 [P].

熊昌铂 ;

杨庆忠 ;

黄善禧 ;

李信宏 ;

李年中 ;

李文芳 ;

李秋德 ;

许智凯 ;

邱淳雅 ;

陈金宏 ;

许嘉榕 ;

傅思逸 ;

林毓翔 .

中国专利 :CN114188409A ,2022-03-15

[8]

半导体装置以及其制作方法 [P].

蔡明桦 ;

韩蓉 ;

李明锜 ;

林志谋 ;

洪裕祥 ;

林煜翔 ;

施子琅 .

中国专利 :CN115377181B ,2025-09-09

[9]

半导体装置及其制作方法 [P].

岩本邦彦 ;

小川有人 ;

上牟田雄一 .

中国专利 :CN101320734A ,2008-12-10

[10]

高压半导体装置以及其制作方法 [P].

杨宗祐 ;

李信宏 ;

李年中 ;

熊昌铂 .

中国专利 :CN114695549B ,2025-09-05

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