一种三维NAND型铁电存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510787673.4

申请日：

2025-06-12

公开(公告)号：

CN120659326A

公开(公告)日：

2025-09-16

发明(设计)人：

王晓磊赵梦微王文武胡涛孙晓清柴俊帅徐昊

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

IPC主分类号：

H10B51/20

IPC分类号：

H10B51/30

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

马天琪

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 51/20申请日:20250612

共 50 条

[1]

一种三维NAND铁电存储器及其制备方法 [P].

曾斌建 ;

周益春 ;

廖敏 .

中国专利 :CN111799263A ,2020-10-20

[2]

一种三维NAND铁电存储器及其制备方法 [P].

廖敏 ;

刘晨 ;

陈新 ;

曾斌建 ;

彭强祥 ;

周益春 .

中国专利 :CN108428701A ,2018-08-21

[3]

一种三维铁电存储器及其制备方法 [P].

曾斌建 ;

周益春 ;

廖敏 .

中国专利 :CN111799278A ,2020-10-20

[4]

铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置 [P].

唐怡 ;

李辉辉 .

中国专利 :CN121218604A ,2025-12-26

[5]

一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法 [P].

曾斌建 ;

周益春 ;

廖敏 .

中国专利 :CN111799264B ,2020-10-20

[6]

三维铁电存储器件 [P].

许镇盛 ;

文泰欢 ;

南胜杰 ;

李泫宰 .

韩国专利 :CN117355142A ,2024-01-05

[7]

三维铁电存储器件 [P].

南胜杰 ;

许镇盛 ;

李泫宰 ;

崔德铉 .

韩国专利 :CN118057934A ,2024-05-21

[8]

三维铁电存储器及其制造方法 [P].

郭美澜 .

中国专利 :CN112382633A ,2021-02-19

[9]

三维NAND存储器及其制备方法 [P].

肖梦 ;

刘隆冬 ;

吴建中 ;

董明 ;

长江 .

中国专利 :CN112635481B ,2024-07-02

[10]

三维NAND存储器及其制备方法 [P].

王子行 ;

周颖 ;

李明 .

中国专利 :CN112466883A ,2021-03-09

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