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孔结构形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511071739.6
申请日
:
2025-08-01
公开(公告)号
:
CN120581433A
公开(公告)日
:
2025-09-02
发明(设计)人
:
刘淼
周立
李虎
李兴龙
申请人
:
深圳市昇维旭技术有限公司
申请人地址
:
518111 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104
IPC主分类号
:
H01L21/308
IPC分类号
:
H01L21/768
代理机构
:
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人
:
张雪琴
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-02
公开
公开
2025-12-05
授权
授权
2025-09-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/308申请日:20250801
共 50 条
[1]
孔结构形成方法
[P].
刘淼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
刘淼
;
周立
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
周立
;
李虎
论文数:
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0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
李虎
;
李兴龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
李兴龙
.
中国专利
:CN120581433B
,2025-12-05
[2]
半导体结构形成方法
[P].
何永根
论文数:
0
引用数:
0
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0
何永根
.
中国专利
:CN105655252B
,2016-06-08
[3]
半导体结构形成方法
[P].
浦栋
论文数:
0
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0
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0
浦栋
;
惠利省
论文数:
0
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0
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惠利省
;
杨国文
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨国文
.
中国专利
:CN112992660B
,2021-06-18
[4]
栅极结构形成方法
[P].
罗飞
论文数:
0
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0
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0
罗飞
;
邹立
论文数:
0
引用数:
0
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0
邹立
.
中国专利
:CN102024691B
,2011-04-20
[5]
接触孔结构形成方法
[P].
许丹
论文数:
0
引用数:
0
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0
许丹
.
中国专利
:CN102299098A
,2011-12-28
[6]
半导体结构形成方法
[P].
刘中元
论文数:
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刘中元
;
赵鹏
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赵鹏
;
马孝田
论文数:
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0
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马孝田
.
中国专利
:CN111725068A
,2020-09-29
[7]
半导体结构形成方法
[P].
刘中元
论文数:
0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
刘中元
;
赵鹏
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
赵鹏
;
马孝田
论文数:
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
马孝田
.
中国专利
:CN111725068B
,2024-06-18
[8]
栅极结构形成方法
[P].
任晓辉
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0
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任晓辉
;
奚裴
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奚裴
;
齐龙茵
论文数:
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齐龙茵
.
中国专利
:CN102148146A
,2011-08-10
[9]
硅通孔互连结构形成方法
[P].
刘钊
论文数:
0
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刘钊
;
朱虹
论文数:
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朱虹
;
高关且
论文数:
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高关且
;
奚民伟
论文数:
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0
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奚民伟
.
中国专利
:CN102054746A
,2011-05-11
[10]
双镶嵌结构形成方法
[P].
张海洋
论文数:
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张海洋
;
王新鹏
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王新鹏
;
张世谋
论文数:
0
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张世谋
.
中国专利
:CN102214601A
,2011-10-12
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