孔结构形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN202511071739.6
申请日
2025-08-01
公开(公告)号
CN120581433A
公开(公告)日
2025-09-02
发明(设计)人
刘淼 周立 李虎 李兴龙
申请人
深圳市昇维旭技术有限公司
申请人地址
518111 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104
IPC主分类号
H01L21/308
IPC分类号
H01L21/768
代理机构
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人
张雪琴
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
孔结构形成方法 [P]. 
刘淼 ;
周立 ;
李虎 ;
李兴龙 .
中国专利 :CN120581433B ,2025-12-05
[2]
半导体结构形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655252B ,2016-06-08
[3]
半导体结构形成方法 [P]. 
浦栋 ;
惠利省 ;
杨国文 .
中国专利 :CN112992660B ,2021-06-18
[4]
栅极结构形成方法 [P]. 
罗飞 ;
邹立 .
中国专利 :CN102024691B ,2011-04-20
[5]
接触孔结构形成方法 [P]. 
许丹 .
中国专利 :CN102299098A ,2011-12-28
[6]
半导体结构形成方法 [P]. 
刘中元 ;
赵鹏 ;
马孝田 .
中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29
[7]
半导体结构形成方法 [P]. 
刘中元 ;
赵鹏 ;
马孝田 .
中国专利 :CN111725068B ,2024-06-18
[8]
栅极结构形成方法 [P]. 
任晓辉 ;
奚裴 ;
齐龙茵 .
中国专利 :CN102148146A ,2011-08-10
[9]
硅通孔互连结构形成方法 [P]. 
刘钊 ;
朱虹 ;
高关且 ;
奚民伟 .
中国专利 :CN102054746A ,2011-05-11
[10]
双镶嵌结构形成方法 [P]. 
张海洋 ;
王新鹏 ;
张世谋 .
中国专利 :CN102214601A ,2011-10-12