一种单取代环戊二烯基钇前驱体的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510722420.9
申请日
2025-05-30
公开(公告)号
CN120590445A
公开(公告)日
2025-09-05
发明(设计)人
马恩源 刘宇 程前 唐超 张学奇 李建恒
申请人
合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请人地址
230000 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园1号楼C区4层
IPC主分类号
C07F17/00
IPC分类号
代理机构
合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160
代理人
张甜甜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
一种三(甲基环戊二烯基)钇的制备方法 [P]. 
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齐爱民 ;
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[2]
一种单取代环戊二烯的制备方法 [P]. 
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[3]
一种单环戊二烯基三烷氧基钛前驱体的制备方法 [P]. 
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[4]
一种取代环戊二烯的制备方法 [P]. 
于建金 ;
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[5]
环戊二烯取代的方法 [P]. 
J·A·M·范比克 ;
G·J·M·格鲁特 ;
R·格林 .
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[6]
一种取代环戊二烯基茂金属化合物的制备方法 [P]. 
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[7]
环戊二烯或取代环戊二烯的制备工艺 [P]. 
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[8]
一种三(甲基环戊二烯基)钇的制备方法 [P]. 
王宏波 ;
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袁琳 ;
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中国专利 :CN120795039A ,2025-10-17
[9]
一种环戊二烯基钽系金属前驱体的制备方法 [P]. 
张震 ;
张学奇 ;
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李建恒 .
中国专利 :CN119735618A ,2025-04-01
[10]
环戊二烯或取代环戊二烯的合成方法 [P]. 
韦少义 ;
朱博超 ;
吴江 ;
魏红 ;
郝萍 .
中国专利 :CN1298683C ,2005-09-28