一种单环戊二烯基三烷氧基钛前驱体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510829438.9

申请日：

2025-06-20

公开(公告)号：

CN120623241A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

江杰沈芝龙张学奇李建恒

申请人：

合肥安德科铭半导体科技有限公司

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园1号楼C区4层

IPC主分类号：

C07F17/00

IPC分类号：

C23C16/18 C23C16/40 C23C16/34

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C07F 17/00申请日:20250620
2025-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单取代环戊二烯基钇前驱体的制备方法 [P].

马恩源 ;

刘宇 ;

程前 ;

唐超 ;

张学奇 ;

李建恒 .

中国专利 :CN120590445A ,2025-09-05

[2]

一种环戊二烯基钽系金属前驱体的制备方法 [P].

张震 ;

张学奇 ;

李丽君 ;

李建恒 .

中国专利 :CN119735618A ,2025-04-01

[3]

采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法 [P].

P·N·黑斯 ;

A·金斯里 ;

宋福全 ;

P·威廉姆斯 ;

T·利斯 ;

H·O·戴维斯 ;

R·奥德拉 .

中国专利 :CN103147062A ,2013-06-12

[4]

采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法 [P].

P·N·黑斯 ;

A·金斯里 ;

宋福全 ;

P·威廉姆斯 ;

T·利斯 ;

H·O·戴维斯 ;

R·奥德拉 .

中国专利 :CN101815807A ,2010-08-25

[5]

一种三甲氧基（五甲基环戊二烯基）钛的制备方法 [P].

沈芝龙 ;

张学奇 ;

朱思坤 ;

李建恒 .

中国专利 :CN117946187A ,2024-04-30

[6]

铂前驱体及三甲基环戊二烯基铂的制备方法和应用 [P].

孙明明 ;

韩露 ;

朱志伟 .

中国专利 :CN114989226A ,2022-09-02

[7]

一种三甲氧基五甲基环戊二烯基钛的制备方法 [P].

靳亚英 ;

花莹曦 ;

尚青 ;

姚刚 ;

王赏照 ;

班竞原 ;

郝宁 ;

翟国强 .

中国专利 :CN120682281A ,2025-09-23

[8]

双环戊二烯基二氯化钛的制备方法 [P].

黄笔武 ;

尹绍明 ;

胡学武 ;

党隐逸 ;

刘继红 ;

黎琦 ;

刘莉 .

中国专利 :CN1170725A ,1998-01-21

[9]

一种三（甲基环戊二烯基）钇的制备方法 [P].

王宏波 ;

慈国庆 ;

袁琳 ;

张建明 .

中国专利 :CN120795039A ,2025-10-17

[10]

高纯三（环戊二烯基）钪制备工艺及三（环戊二烯基）钪 [P].

董礼 ;

刘子伟 ;

程泽武 ;

万欣 ;

徐耀中 .

中国专利 :CN118745194A ,2024-10-08

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