一种氧化镓复合铜金刚石陶瓷材料衬底及其制备方法和应用

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专利类型
发明
申请号
CN202510554703.7
申请日
2025-04-29
公开(公告)号
CN120656941A
公开(公告)日
2025-09-16
发明(设计)人
杨世凌 张逸韵 姚然 杨华 伊晓燕 王军喜
申请人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
IPC主分类号
H01L21/48
IPC分类号
H01L23/15 C23C14/35 C23C14/24 C23C14/30 C23C14/06 C23C14/08 C23C14/54
代理机构
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
尚攀
法律状态
公开
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法和应用 [P]. 
杨世凌 ;
张逸韵 ;
姚然 ;
杨华 ;
伊晓燕 ;
王军喜 .
中国专利 :CN120674392A ,2025-09-19
[2]
金刚石复合衬底及其制备方法和应用 [P]. 
彭祖军 ;
潘鹏 ;
庞体强 ;
杨家乐 ;
黄雪润 ;
何申伟 .
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[3]
一种多晶金刚石及其制备方法和应用 [P]. 
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[4]
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[5]
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洪延 ;
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
一种高强金刚石碳化硼复合陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
徐常明 ;
曹军美 .
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[10]
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周玲杰 ;
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