一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510576872.0
申请日
2025-05-06
公开(公告)号
CN120674392A
公开(公告)日
2025-09-19
发明(设计)人
杨世凌 张逸韵 姚然 杨华 伊晓燕 王军喜
申请人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
IPC主分类号
H01L23/373
IPC分类号
H01L21/48 H10D8/60 H10D8/01
代理机构
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
于哲
法律状态
公开
国省代码
北京市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法 [P]. 
杨世凌 ;
张逸韵 ;
姚然 ;
杨华 ;
伊晓燕 ;
王军喜 .
中国专利 :CN120767264A ,2025-10-10
[2]
一种氧化镓复合铜金刚石陶瓷材料衬底及其制备方法和应用 [P]. 
杨世凌 ;
张逸韵 ;
姚然 ;
杨华 ;
伊晓燕 ;
王军喜 .
中国专利 :CN120656941A ,2025-09-16
[3]
一种高导热氧化镓晶体管及其制备方法 [P]. 
郁鑫鑫 ;
李忠辉 ;
沈睿 .
中国专利 :CN118039701A ,2024-05-14
[4]
一种氧化镓异质外延衬底及其制备方法 [P]. 
杨世凌 ;
张逸韵 ;
姚然 ;
杨华 ;
伊晓燕 ;
王军喜 .
中国专利 :CN120199682A ,2025-06-24
[5]
一种氧化镓晶体及其制备方法和应用 [P]. 
谢奎 ;
李佳明 ;
叶灵婷 .
中国专利 :CN114775055A ,2022-07-22
[6]
一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用 [P]. 
贾伟 ;
任恒磊 ;
贾凯达 ;
翟光美 ;
董海亮 ;
许并社 .
中国专利 :CN117457497A ,2024-01-26
[7]
氧化镓衬底及其制备方法 [P]. 
张逸韵 ;
姚然 ;
杨华 ;
伊晓燕 ;
王军喜 .
中国专利 :CN117855049A ,2024-04-09
[8]
氧化镓衬底及其制备方法 [P]. 
张逸韵 ;
姚然 ;
杨华 ;
伊晓燕 ;
王军喜 .
中国专利 :CN117855049B ,2025-09-19
[9]
基于蓝宝石衬底的氧化镓单晶紫外探测器件、阵列制备方法和应用 [P]. 
李晓茜 .
中国专利 :CN118073372A ,2024-05-24
[10]
一种氧化镓薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
刘宁涛 ;
张文瑞 ;
叶继春 .
中国专利 :CN116770237B ,2025-11-21