单光子雪崩二极管、光电探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510967516.1

申请日：

2025-07-14

公开(公告)号：

CN120640791A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

刘超晖肖鹏颜林

申请人：

季华实验室

申请人地址：

528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号

IPC主分类号：

H10F30/225

IPC分类号：

H10F71/00

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287

代理人：

董春连

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/225申请日:20250714
2025-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

单光子雪崩二极管及其制作方法和光电探测器 [P].

徐凯敏 ;

彭彧 ;

苏星 ;

沈林杰 .

中国专利 :CN118867029A ,2024-10-29

[2]

硅基近红外单光子雪崩二极管探测器及其制作方法 [P].

徐跃 ;

孙飞阳 .

中国专利 :CN110416335A ,2019-11-05

[3]

单光子雪崩二极管和光电探测器阵列 [P].

兰潇健 ;

马静 ;

刘超晖 ;

马四光 .

中国专利 :CN114093962A ,2022-02-25

[4]

单光子雪崩二极管和光电探测器阵列 [P].

马静 ;

兰潇健 ;

刘超晖 ;

马四光 .

中国专利 :CN114203852A ,2022-03-18

[5]

单光子雪崩二极管和光电探测器阵列 [P].

兰潇健 ;

马静 ;

刘超晖 ;

马四光 .

中国专利 :CN114093962B ,2024-04-09

[6]

单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器 [P].

刘超晖 ;

刘冰 ;

兰潇健 ;

马静 .

中国专利 :CN119208429B ,2025-06-27

[7]

单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器 [P].

刘超晖 ;

刘冰 ;

兰潇健 ;

马静 .

中国专利 :CN119208429A ,2024-12-27

[8]

新型单光子雪崩二极管、光电探测器及其制造方法 [P].

魏嘉余 ;

高于婷 ;

林彦良 ;

许文义 ;

黄熏莹 ;

李国政 ;

陈信吉 .

中国专利 :CN109216494B ,2019-01-15

[9]

一种单光子雪崩二极管和单光子探测器 [P].

刘新川 ;

冯泰翔 ;

朱志航 ;

成健 ;

吴兵兵 ;

陈鉴 .

中国专利 :CN120529665A ,2025-08-22

[10]

单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置 [P].

浦世亮 ;

彭彧 ;

徐凯敏 ;

苏星 ;

沈林杰 .

中国专利 :CN119008759A ,2024-11-22

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