单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411698027.2

申请日：

2024-11-26

公开(公告)号：

CN119208429B

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

刘超晖刘冰兰潇健马静

申请人：

季华实验室

申请人地址：

528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号

IPC主分类号：

H10F30/225

IPC分类号：

H10F77/14 H10F71/00 H10F39/10

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287

代理人：

张楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-27	公开	公开
2025-06-27	授权	授权
2025-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/107申请日:20241126

共 50 条

[1]

单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子探测器 [P].

刘超晖 ;

刘冰 ;

兰潇健 ;

马静 .

中国专利 :CN119208429A ,2024-12-27

[2]

单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子雪崩二极管阵列 [P].

魏丹清 .

中国专利 :CN113690337A ,2021-11-23

[3]

单光子雪崩二极管及其制作方法和光电探测器 [P].

徐凯敏 ;

彭彧 ;

苏星 ;

沈林杰 .

中国专利 :CN118867029A ,2024-10-29

[4]

单光子雪崩二极管及其制作方法 [P].

周雨薇 .

中国专利 :CN113690336A ,2021-11-23

[5]

单光子雪崩二极管及其制作方法 [P].

周雨薇 .

中国专利 :CN113690336B ,2024-02-27

[6]

单光子雪崩二极管、光电探测器及其制作方法 [P].

刘超晖 ;

肖鹏 ;

颜林 .

中国专利 :CN120640791A ,2025-09-12

[7]

单光子雪崩二极管 [P].

兰潇健 ;

马四光 ;

刘超晖 ;

马静 .

中国专利 :CN117976757B ,2024-07-16

[8]

单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P].

吴劲昌 ;

谢晋安 ;

陈经纬 .

中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07

[9]

单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P].

吴劲昌 ;

谢晋安 ;

陈经纬 .

中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11

[10]

单光子雪崩二极管 [P].

兰潇健 ;

马四光 ;

刘超晖 ;

马静 .

中国专利 :CN117976757A ,2024-05-03

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