双向可控硅整流器器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510649760.3
申请日
2025-05-20
公开(公告)号
CN120583735A
公开(公告)日
2025-09-02
发明(设计)人
范炜盛
申请人
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
H10D89/60
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
陈钧
法律状态
公开
国省代码
江苏省 无锡市
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共 50 条
[1]
双向可控硅整流器 [P]. 
刘俊杰 ;
杜飞波 ;
何青松 .
中国专利 :CN114975420B ,2025-05-02
[2]
可控硅整流器器件 [P]. 
何磊 ;
张环 ;
周继峰 .
中国专利 :CN120050958A ,2025-05-27
[3]
可控硅整流器 [P]. 
刘俊杰 ;
宋文强 ;
何青松 .
中国专利 :CN115050734A ,2022-09-13
[4]
可控硅整流器 [P]. 
刘俊杰 ;
宋文强 ;
何青松 .
中国专利 :CN115050734B ,2025-06-10
[5]
可控硅整流器 [P]. 
曾杰 ;
S·P·卡拉卡尔 .
:CN118693071A ,2024-09-24
[6]
可控硅整流器 [P]. 
王尧 ;
郑耒宏 .
中国专利 :CN307804100S ,2023-01-20
[7]
可控硅整流器 [P]. 
C·C·鲁斯 ;
G-D·克雷图 ;
F·马格里尼 .
中国专利 :CN112185953A ,2021-01-05
[8]
单向可控硅整流器件 [P]. 
周继峰 ;
张环 ;
何磊 .
中国专利 :CN118116963A ,2024-05-31
[9]
可控硅整流器静电保护器件 [P]. 
范炜盛 .
中国专利 :CN120583736A ,2025-09-02
[10]
高性能可控硅整流器器件 [P]. 
S·M·潘迪 ;
S·P·卡拉卡尔 ;
R·克里希纳萨米 ;
陈学深 .
美国专利 :CN118538720A ,2024-08-23