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可控硅整流器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010630301.8
申请日
:
2020-07-03
公开(公告)号
:
CN112185953A
公开(公告)日
:
2021-01-05
发明(设计)人
:
C·C·鲁斯
G-D·克雷图
F·马格里尼
申请人
:
申请人地址
:
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号
IPC主分类号
:
H01L2702
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
张凌苗;申屠伟进
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-06-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20200703
2021-01-05
公开
公开
共 50 条
[1]
可控硅整流器
[P].
曾杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
曾杰
;
S·P·卡拉卡尔
论文数:
0
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0
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0
机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
S·P·卡拉卡尔
.
:CN118693071A
,2024-09-24
[2]
可控硅整流器
[P].
王尧
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0
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0
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0
王尧
;
郑耒宏
论文数:
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0
郑耒宏
.
中国专利
:CN307804100S
,2023-01-20
[3]
可控硅整流器
[P].
刘俊杰
论文数:
0
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0
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0
刘俊杰
;
宋文强
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宋文强
;
何青松
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何青松
.
中国专利
:CN115050734A
,2022-09-13
[4]
可控硅整流器
[P].
刘俊杰
论文数:
0
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
刘俊杰
;
宋文强
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
宋文强
;
何青松
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0
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
何青松
.
中国专利
:CN115050734B
,2025-06-10
[5]
电泳可控硅整流器
[P].
李坚
论文数:
0
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李坚
.
中国专利
:CN215682153U
,2022-01-28
[6]
可控硅整流器器件
[P].
何磊
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机构:
力特半导体(无锡)有限公司
力特半导体(无锡)有限公司
何磊
;
张环
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机构:
力特半导体(无锡)有限公司
力特半导体(无锡)有限公司
张环
;
周继峰
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机构:
力特半导体(无锡)有限公司
力特半导体(无锡)有限公司
周继峰
.
中国专利
:CN120050958A
,2025-05-27
[7]
双向可控硅整流器
[P].
刘俊杰
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
刘俊杰
;
杜飞波
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
杜飞波
;
何青松
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机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
何青松
.
中国专利
:CN114975420B
,2025-05-02
[8]
触发器可控硅整流器
[P].
A·纳特
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0
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
A·纳特
;
A·F·卢瓦索
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0
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
A·F·卢瓦索
;
S·米特拉
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·米特拉
.
美国专利
:CN117712119A
,2024-03-15
[9]
高性能可控硅整流器器件
[P].
S·M·潘迪
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·M·潘迪
;
S·P·卡拉卡尔
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·P·卡拉卡尔
;
R·克里希纳萨米
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
R·克里希纳萨米
;
陈学深
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
陈学深
.
美国专利
:CN118538720A
,2024-08-23
[10]
双阱横向可控硅整流器
[P].
G·博塞利
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G·博塞利
;
R·商杰罗林格
论文数:
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R·商杰罗林格
.
中国专利
:CN103378169A
,2013-10-30
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