学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
双阱横向可控硅整流器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310154008.9
申请日
:
2013-04-28
公开(公告)号
:
CN103378169A
公开(公告)日
:
2013-10-30
发明(设计)人
:
G·博塞利
R·商杰罗林格
申请人
:
申请人地址
:
美国德克萨斯州
IPC主分类号
:
H01L2987
IPC分类号
:
H01L2906
H01L2702
代理机构
:
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245
代理人
:
赵蓉民
法律状态
:
授权
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-19
授权
授权
2015-04-22
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101606548082 IPC(主分类):H01L 29/87 专利申请号:2013101540089 申请日:20130428
2013-10-30
公开
公开
共 50 条
[1]
可控硅整流器
[P].
曾杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
曾杰
;
S·P·卡拉卡尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
S·P·卡拉卡尔
.
:CN118693071A
,2024-09-24
[2]
可控硅整流器
[P].
C·C·鲁斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
C·C·鲁斯
;
G-D·克雷图
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
G-D·克雷图
;
F·马格里尼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
F·马格里尼
.
中国专利
:CN112185953A
,2021-01-05
[3]
可控硅整流器
[P].
王尧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王尧
;
郑耒宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑耒宏
.
中国专利
:CN307804100S
,2023-01-20
[4]
可控硅整流器
[P].
刘俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘俊杰
;
宋文强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋文强
;
何青松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何青松
.
中国专利
:CN115050734A
,2022-09-13
[5]
可控硅整流器
[P].
刘俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
刘俊杰
;
宋文强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
宋文强
;
何青松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
何青松
.
中国专利
:CN115050734B
,2025-06-10
[6]
一种新型双阱横向可控硅整流器
[P].
李晓刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李晓刚
;
车康群
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
车康群
.
中国专利
:CN208986834U
,2019-06-14
[7]
双触发型可控硅整流器
[P].
洪根刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
洪根刚
.
中国专利
:CN101521224B
,2009-09-02
[8]
电泳可控硅整流器
[P].
李坚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李坚
.
中国专利
:CN215682153U
,2022-01-28
[9]
可控硅整流器器件
[P].
何磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力特半导体(无锡)有限公司
力特半导体(无锡)有限公司
何磊
;
张环
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力特半导体(无锡)有限公司
力特半导体(无锡)有限公司
张环
;
周继峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力特半导体(无锡)有限公司
力特半导体(无锡)有限公司
周继峰
.
中国专利
:CN120050958A
,2025-05-27
[10]
双向可控硅整流器
[P].
刘俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
刘俊杰
;
杜飞波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
杜飞波
;
何青松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力晶积成电子制造股份有限公司
力晶积成电子制造股份有限公司
何青松
.
中国专利
:CN114975420B
,2025-05-02
←
1
2
3
4
5
→