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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410302711.8
申请日：
2024-03-15
公开(公告)号：
CN120659332A
公开(公告)日：
2025-09-16
发明(设计)人：
王少芝
贺晓东
武咏琴
吴旭升
申请人：
北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层
IPC主分类号：
H10B63/00
IPC分类号：
H10N70/20
H10N70/00
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-16 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/00申请日:20240315 |