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锗基底3.7-4.8μm超低反射膜系的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510780398.3
申请日：
2025-06-12
公开(公告)号：
CN120649013A
公开(公告)日：
2025-09-16
发明(设计)人：
梁献波 刘克武 王振
申请人：
安徽光智科技有限公司
申请人地址：
239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
IPC主分类号：
C23C28/00
IPC分类号：
C23C14/08 C23C14/06 C23C14/14 C23C14/30 C23C14/26 G02B1/115
代理机构：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人：
张向琨
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 安庆市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-16 公开 公开
2025-10-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 28/00申请日:20250612
共 50 条
[1]
锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
刘克武 ;
尹士平 ;
陈松玲 .
中国专利 :CN119913460A ,2025-05-02
[2]
锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
刘克武 ;
尹士平 ;
陈松玲 .
中国专利 :CN119913460B ,2025-11-21
[3]
单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法 [P]. 
蔡宇轩 ;
刘克武 ;
王振 ;
李满仕 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119247525A ,2025-01-03
[4]
锗双波段增透膜膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506777A ,2025-02-25
[5]
锗双波段增透膜膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506777B ,2025-10-24
[6]
硒化锌基底7-14μm增透膜膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
尹士平 ;
刘克武 .
中国专利 :CN119243093A ,2025-01-03
[7]
硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
尹士平 .
中国专利 :CN116282962B ,2025-01-28
[8]
硫系玻璃基底8-12μm增透膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
张海燕 ;
刘克武 .
中国专利 :CN118880250A ,2024-11-01
[9]
用于红外长波的低反射锗基增透膜系的制备方法 [P]. 
王振 ;
刘克武 ;
蔡宇轩 ;
郭晨光 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506778A ,2025-02-25
[10]
硅基底3-5μm红外中波低反射膜制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 .
中国专利 :CN119932486A ,2025-05-06
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