锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510087374.X
申请日
2025-01-20
公开(公告)号
CN119913460A
公开(公告)日
2025-05-02
发明(设计)人
梁献波 刘梦佳 刘克武 尹士平 陈松玲
申请人
安徽光智科技有限公司
申请人地址
239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
IPC主分类号
C23C14/30
IPC分类号
C23C14/26 C23C14/08 C23C14/16 C23C14/06 C23C14/02 C23C14/54
代理机构
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人
张向琨
法律状态
公开
国省代码
安徽省 安庆市
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共 50 条
[1]
锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
刘克武 ;
尹士平 ;
陈松玲 .
中国专利 :CN119913460B ,2025-11-21
[2]
硅基底1400-1800nm红外短波低反射膜制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
尹士平 ;
陈松玲 .
中国专利 :CN119932484A ,2025-05-06
[3]
硅基底3-5μm红外中波低反射膜制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 .
中国专利 :CN119932486A ,2025-05-06
[4]
锗基底3.7-4.8μm超低反射膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
王振 .
中国专利 :CN120649013A ,2025-09-16
[5]
用于红外长波的低反射锗基增透膜系的制备方法 [P]. 
王振 ;
刘克武 ;
蔡宇轩 ;
郭晨光 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506778A ,2025-02-25
[6]
锗双波段增透膜膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506777A ,2025-02-25
[7]
锗双波段增透膜膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506777B ,2025-10-24
[8]
硫系玻璃基底镀制DLC+AR膜的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
尹士平 ;
刘克武 ;
刘梦佳 .
中国专利 :CN119506787A ,2025-02-25
[9]
硒化锌基底镀制8-12μmDLC+AR膜的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119932485A ,2025-05-06
[10]
硒化锌基底7-14μm增透膜膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
尹士平 ;
刘克武 .
中国专利 :CN119243093A ,2025-01-03