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硅基底1400-1800nm红外短波低反射膜制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510087375.4
申请日：
2025-01-20
公开(公告)号：
CN119932484A
公开(公告)日：
2025-05-06
发明(设计)人：
梁献波 刘克武 尹士平 陈松玲
申请人：
安徽光智科技有限公司
申请人地址：
239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
IPC主分类号：
C23C14/30
IPC分类号：
C23C14/10 C23C14/08 C23C14/02 C23C14/54
代理机构：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人：
张向琨
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 安庆市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-06 公开 公开
2025-05-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/30申请日:20250120
共 34 条
[1]
硅基底3-5μm红外中波低反射膜制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 .
中国专利 :CN119932486A ,2025-05-06
[2]
锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
刘克武 ;
尹士平 ;
陈松玲 .
中国专利 :CN119913460A ,2025-05-02
[3]
锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
刘克武 ;
尹士平 ;
陈松玲 .
中国专利 :CN119913460B ,2025-11-21
[4]
硅基底红外长波高透过率增透膜系的制备方法 [P]. 
王振 ;
刘克武 ;
蔡宇轩 ;
郭晨光 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506789A ,2025-02-25
[5]
用于红外长波的低反射锗基增透膜系的制备方法 [P]. 
王振 ;
刘克武 ;
蔡宇轩 ;
郭晨光 ;
尹士平 .
中国专利 :CN119506778A ,2025-02-25
[6]
一种硅基底中波红外增透膜及其制备方法 [P]. 
赵中亮 .
中国专利 :CN110146943B ,2019-08-20
[7]
硒化锌基底1064nm红外增透膜系制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘梦佳 ;
尹士平 .
中国专利 :CN116240498B ,2024-12-27
[8]
锗基底3.7-4.8μm超低反射膜系的制备方法 [P]. 
梁献波 ;
刘克武 ;
王振 .
中国专利 :CN120649013A ,2025-09-16
[9]
一种硅基底长波通红外滤光片及其制备方法 [P]. 
赵中亮 .
中国专利 :CN110146948B ,2019-08-20
[10]
基于硅基底的宽光谱中短波红外杜瓦窗口及制备工艺 [P]. 
于天燕 ;
梁俊华 ;
秦杨 ;
章卫祖 ;
刘定权 .
中国专利 :CN101907494B ,2010-12-08
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