宽域微波介电性能可调的低介钼基微波介质陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510821960.2

申请日：

2025-06-19

公开(公告)号：

CN120664875A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

顾小龙唐莹何崇康覃远东李洁方亮

申请人：

桂林理工大学

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号

IPC主分类号：

C04B35/495

IPC分类号：

H01Q1/36 H01Q1/48 H01Q1/50 H01Q13/08 H01Q13/10 C04B35/622

代理机构：

北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738

代理人：

沈慧芝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广西壮族自治区桂林市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/495申请日:20250619
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

铌酸铕基微波介质陶瓷的微波介电性能宽域调节及其制备方法 [P].

唐莹 ;

顾小龙 ;

何崇康 ;

方维双 ;

杨阳 ;

方亮 .

中国专利 :CN120943636A ,2025-11-14

[2]

一种低介电损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

覃杏柳 ;

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

方亮 ;

刘来君 .

中国专利 :CN107721403A ,2018-02-23

[3]

一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

雷文 ;

杜康 ;

吕文中 ;

付明 ;

宋小强 ;

王飞 .

中国专利 :CN113004028A ,2021-06-22

[4]

Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

汪胜祥 ;

杜康 ;

李成云 ;

周梦蝶 ;

刘哲宇 ;

温泰来 ;

罗雨露 ;

乔懋龙 .

中国专利 :CN118307314A ,2024-07-09

[5]

YAM低介微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

余盛全 ;

敬畏 ;

尹文龙 ;

唐明静 ;

胥涛 ;

康彬 .

中国专利 :CN105481361A ,2016-04-13

[6]

一种硅锗基低介微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

雷文 ;

杜康 ;

吕文中 ;

宋小强 ;

付明 ;

王晓川 .

中国专利 :CN114634352A ,2022-06-17

[7]

一种低介电微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

唐莹 ;

苏聪学 ;

方亮 .

中国专利 :CN111517789B ,2020-08-11

[8]

低介硅酸镁微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

孙杰 ;

黄庆焕 ;

叶荣 ;

顾国治 ;

王斌华 .

中国专利 :CN113087507A ,2021-07-09

[9]

温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

李钰婷 ;

乔坚栗 .

中国专利 :CN113880573A ,2022-01-04

[10]

低损耗介电可调中介微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

高勇 ;

李伶 ;

王重海 ;

赵小玻 ;

张萍萍 ;

王营营 ;

车松蔚 ;

宋涛 .

中国专利 :CN105294104A ,2016-02-03

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