一种功率半导体模块的封装结构及封装方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211643047.0

申请日：

2022-12-20

公开(公告)号：

CN115985899B

公开(公告)日：

2025-09-05

发明(设计)人：

黄志召李宇雄段三丁刘新民

申请人：

武汉羿变电气有限公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2-1021(自贸区武汉片区)

IPC主分类号：

H01L25/16

IPC分类号：

H01L23/538 H01L23/498 H01L23/31 H01L23/15 H01L23/00 H01L23/367 H01L23/373 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60

代理机构：

武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙) 42274

代理人：

赵国清

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

引用

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共 50 条

[1]

一种功率半导体模块的封装结构 [P].

毛锦进 ;

黄志召 ;

李宇雄 ;

李玉林 ;

张建行 ;

吴其中 .

中国专利 :CN220934073U ,2024-05-10

[2]

功率半导体模块的封装结构 [P].

毛锦进 ;

黄志召 ;

李宇雄 ;

刘盼 ;

王健 ;

张威 .

中国专利 :CN120413569A ,2025-08-01

[3]

一种功率半导体模块的封装方法及封装结构 [P].

间瀬胜好 .

中国专利 :CN110634751A ,2019-12-31

[4]

一种功率半导体模块的封装方法及封装结构 [P].

间瀬胜好 .

中国专利 :CN110634751B ,2024-01-26

[5]

一种高压功率半导体模块封装架构 [P].

朱楠 ;

史经奎 ;

徐贺 ;

瞿博 ;

邓永辉 .

中国专利 :CN115377033A ,2022-11-22

[6]

一种功率半导体模块的封装结构 [P].

刘董叶 ;

冯冰杰 .

中国专利 :CN117998738A ,2024-05-07

[7]

功率半导体模块的封装结构 [P].

王涛 ;

鲁凯 .

中国专利 :CN115547975A ,2022-12-30

[8]

封装结构、封装方法及半导体模块 [P].

向军山 ;

熊勇 .

中国专利 :CN120072766A ,2025-05-30

[9]

具有低寄生参数的SiC功率半导体模块及制备方法 [P].

王智强 ;

豆加龙 ;

姚永刚 ;

孔武斌 .

中国专利 :CN120473460A ,2025-08-12

[10]

一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法 [P].

刘国友 ;

李道会 ;

齐放 ;

李想 ;

王彦刚 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN113035847B ,2025-03-18

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-05	授权	授权