一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911355472.8
申请日
2019-12-25
公开(公告)号
CN113035847B
公开(公告)日
2025-03-18
发明(设计)人
刘国友 李道会 齐放 李想 王彦刚 罗海辉
申请人
株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址
412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
IPC主分类号
H01L25/07
IPC分类号
H01L23/48
代理机构
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
吴大建;何娇
法律状态
授权
国省代码
湖南省 株洲市
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共 50 条
[1]
一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法 [P]. 
刘国友 ;
李道会 ;
齐放 ;
李想 ;
王彦刚 ;
罗海辉 .
中国专利 :CN113035847A ,2021-06-25
[2]
一种功率半导体模块低电感封装结构 [P]. 
张骜博 .
中国专利 :CN221977916U ,2024-11-08
[3]
一种功率半导体模块封装结构 [P]. 
刘国友 ;
李道会 ;
齐放 ;
李想 ;
王彦刚 ;
罗海辉 .
中国专利 :CN110400794A ,2019-11-01
[4]
一种功率半导体模块封装结构 [P]. 
刘国友 ;
李道会 ;
齐放 ;
马修·帕克伍德 ;
李想 .
中国专利 :CN110867416B ,2020-03-06
[5]
一种功率半导体模块封装结构 [P]. 
李道会 ;
李想 ;
马特·帕克伍德 ;
谭琨 ;
王彦刚 ;
罗海辉 ;
刘国友 .
中国专利 :CN114121923A ,2022-03-01
[6]
一种功率半导体模块封装结构 [P]. 
李道会 ;
李想 ;
马特·帕克伍德 ;
谭琨 ;
王彦刚 ;
罗海辉 ;
刘国友 .
中国专利 :CN114121923B ,2025-05-30
[7]
功率半导体模块的封装结构 [P]. 
王涛 ;
鲁凯 .
中国专利 :CN115547975A ,2022-12-30
[8]
一种功率半导体模块的封装方法及封装结构 [P]. 
间瀬胜好 .
中国专利 :CN110634751A ,2019-12-31
[9]
一种功率半导体模块的封装结构及封装方法 [P]. 
黄志召 ;
李宇雄 ;
段三丁 ;
刘新民 .
中国专利 :CN115985899B ,2025-09-05
[10]
一种功率半导体模块的封装方法及封装结构 [P]. 
间瀬胜好 .
中国专利 :CN110634751B ,2024-01-26