阻变式存储器的下电极及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210629581.X

申请日：

2022-06-06

公开(公告)号：

CN115394913B

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

杨芸仇圣棻陈亮潘国华

申请人：

昕原半导体（杭州）有限公司

申请人地址：

311305 浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1788号

IPC主分类号：

H10B63/00

IPC分类号：

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

袁文婷;张娓娓

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权

共 50 条

[1]

阻变式存储器的下电极及其制造方法 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

潘国华 .

中国专利 :CN115394913A ,2022-11-25

[2]

阻变式存储器的下电极及制备方法 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

潘国华 .

中国专利 :CN115394911A ,2022-11-25

[3]

阻变式存储器的下电极及制备方法 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

潘国华 .

中国专利 :CN115394911B ,2025-10-03

[4]

阻变式存储器单元及其制造方法和阻变式存储器 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN105514263A ,2016-04-20

[5]

阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

李晓波 .

中国专利 :CN116322286B ,2025-04-25

[6]

阻变存储器及阻变存储器的制造方法 [P].

田伟思 ;

邹荣 ;

官郭沁 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN111312895A ,2020-06-19

[7]

阻变存储器及其制造方法 [P].

刘明 ;

张康玮 ;

龙世兵 ;

谢常青 ;

刘琦 ;

吕杭炳 .

中国专利 :CN102694118A ,2012-09-26

[8]

阻变存储器及其制造方法 [P].

龙世兵 ;

刘明 ;

刘琦 ;

吕杭炳 ;

牛洁斌 ;

王艳花 ;

李颖弢 ;

张森 ;

王艳 ;

连文泰 ;

张康玮 ;

王明 ;

张满红 ;

霍宗亮 ;

谢常青 ;

刘璟 ;

余兆安 ;

李冬梅 .

中国专利 :CN102708919A ,2012-10-03

[9]

阻变存储器及其制造方法 [P].

刘琦 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

吕杭炳 ;

张森 ;

李颖涛 ;

王艳 ;

连文泰 ;

谢常青 .

中国专利 :CN102738386A ,2012-10-17

[10]

阻变存储器件及其制造方法 [P].

吴在敏 .

中国专利 :CN103515532B ,2014-01-15

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