阻变式存储器的下电极及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210628611.5

申请日：

2022-06-06

公开(公告)号：

CN115394911B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

杨芸仇圣棻陈亮潘国华

申请人：

昕原半导体（杭州）有限公司

申请人地址：

311305 浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1788号

IPC主分类号：

H10B63/00

IPC分类号：

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

王迎;袁文婷

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

阻变式存储器的下电极及制备方法 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

潘国华 .

中国专利 :CN115394911A ,2022-11-25

[2]

阻变式存储器的下电极及其制造方法 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

潘国华 .

中国专利 :CN115394913A ,2022-11-25

[3]

阻变式存储器的下电极及其制造方法 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

潘国华 .

中国专利 :CN115394913B ,2025-09-19

[4]

阻变存储器的制造方法及阻变存储器 [P].

杨芸 ;

仇圣棻 ;

陈亮 ;

李晓波 .

中国专利 :CN116322286B ,2025-04-25

[5]

阻变存储器及阻变存储器的制造方法 [P].

田伟思 ;

邹荣 ;

官郭沁 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN111312895A ,2020-06-19

[6]

阻变式存储器单元及其制造方法和阻变式存储器 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN105514263A ,2016-04-20

[7]

阻变存储器及其制备方法 [P].

蒋秉轩 .

中国专利 :CN106711326A ,2017-05-24

[8]

阻变存储器的制备方法 [P].

官郭沁 ;

邹荣 ;

田志 ;

王奇伟 .

中国专利 :CN110459676A ,2019-11-15

[9]

单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法 [P].

高滨 .

中国专利 :CN102280577A ,2011-12-14

[10]

阻变存储器、存算器件、芯片及阻变存储器的制备方法 [P].

许晓欣 ;

吕杭炳 ;

张锐 ;

王侃文 ;

刘明 .

中国专利 :CN112838161A ,2021-05-25

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