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一种ITO-Ag-ITO蚀刻液及其制备方法和应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510934486.4
申请日
:
2025-07-08
公开(公告)号
:
CN120442254B
公开(公告)日
:
2025-09-23
发明(设计)人
:
赵建国
吴新清
王维康
何烨谦
黄德新
龚升
申请人
:
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
申请人地址
:
231600 安徽省合肥市肥东县合肥循环经济示范园长松路东800米处
IPC主分类号
:
C09K13/06
IPC分类号
:
C23F1/30
H01L21/3213
代理机构
:
合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118
代理人
:
魏玉娇
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-08
公开
公开
2025-08-26
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/06申请日:20250708
2025-09-23
授权
授权
共 50 条
[1]
一种ITO-Ag-ITO蚀刻液及其制备方法和应用
[P].
赵建国
论文数:
0
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机构:
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
赵建国
;
吴新清
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机构:
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
吴新清
;
王维康
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机构:
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
王维康
;
何烨谦
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机构:
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
何烨谦
;
黄德新
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机构:
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
黄德新
;
龚升
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机构:
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
合肥中聚和成光电材料股份有限公司
龚升
.
中国专利
:CN120442254A
,2025-08-08
[2]
一种AMOLED用ITO-Ag-ITO蚀刻液
[P].
栾成
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栾成
;
殷福华
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殷福华
;
邵勇
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邵勇
;
赵文虎
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赵文虎
;
李英
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李英
;
朱龙
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朱龙
;
顾玲燕
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顾玲燕
.
中国专利
:CN105463463B
,2016-04-06
[3]
一种三步法ITO-Ag-ITO蚀刻液、其制备方法与应用
[P].
侯军
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浙江奥首材料科技有限公司
浙江奥首材料科技有限公司
侯军
;
彭仁杰
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浙江奥首材料科技有限公司
浙江奥首材料科技有限公司
彭仁杰
;
滕越
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浙江奥首材料科技有限公司
浙江奥首材料科技有限公司
滕越
;
邓璐瑶
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浙江奥首材料科技有限公司
浙江奥首材料科技有限公司
邓璐瑶
.
中国专利
:CN119144333A
,2024-12-17
[4]
一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法
[P].
胡涛
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胡涛
;
倪芸岚
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倪芸岚
;
高立江
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高立江
;
邢攸美
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邢攸美
;
龚升
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龚升
;
尹云舰
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尹云舰
;
方伟华
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方伟华
.
中国专利
:CN106479504B
,2017-03-08
[5]
一种兼容IGZO和ITO蚀刻液及其制备方法和应用
[P].
靳海仲
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机构:
四川江化微电子材料有限公司
四川江化微电子材料有限公司
靳海仲
;
张秋莲
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机构:
四川江化微电子材料有限公司
四川江化微电子材料有限公司
张秋莲
;
李瑞
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四川江化微电子材料有限公司
四川江化微电子材料有限公司
李瑞
;
邵勇
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四川江化微电子材料有限公司
四川江化微电子材料有限公司
邵勇
;
胡生望
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四川江化微电子材料有限公司
四川江化微电子材料有限公司
胡生望
;
郏科龙
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机构:
四川江化微电子材料有限公司
四川江化微电子材料有限公司
郏科龙
.
中国专利
:CN120795913A
,2025-10-17
[6]
一种钼铝钼和ITO/Ag/ITO兼容蚀刻液及制备方法
[P].
戈士勇
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戈士勇
.
中国专利
:CN111334298B
,2020-06-26
[7]
一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用
[P].
傅华
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傅华
;
刘兵
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刘兵
;
高小云
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高小云
.
中国专利
:CN109575922A
,2019-04-05
[8]
一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法
[P].
王维
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王维
;
潘春林
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潘春林
;
李自杰
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李自杰
;
林秋玉
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林秋玉
.
中国专利
:CN114507527A
,2022-05-17
[9]
一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液
[P].
康威
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康威
;
梁作
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梁作
;
赵大成
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赵大成
;
陈昊
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陈昊
.
中国专利
:CN104861980A
,2015-08-26
[10]
一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法
[P].
王维
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王维
;
潘春林
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潘春林
;
李自杰
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李自杰
;
林秋玉
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林秋玉
.
中国专利
:CN114507529A
,2022-05-17
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