一种FDSOI的锗硅层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111053103.0

申请日：

2021-09-08

公开(公告)号：

CN113937055B

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

陈勇跃洪佳琪颜强谭俊周海锋成鑫华方精训

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种FDSOI的锗硅层的制作方法 [P].

陈勇跃 ;

洪佳琪 ;

颜强 ;

谭俊 ;

周海锋 ;

成鑫华 ;

方精训 .

中国专利 :CN113937055A ,2022-01-14

[2]

FDSOI的顶层锗硅层的制作方法 [P].

陈勇跃 .

中国专利 :CN111584420A ,2020-08-25

[3]

FDSOI上锗硅鳍体的制作方法 [P].

陈勇跃 .

中国专利 :CN111508844A ,2020-08-07

[4]

具有硅锗掺杂区的半导体器件的制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103367129B ,2013-10-23

[5]

减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法 [P].

车思远 .

中国专利 :CN118398495A ,2024-07-26

[6]

一种锗层及半导体器件的制作方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN104867822A ,2015-08-26

[7]

应变硅层的制作方法、PMOS器件的制作方法及半导体器件 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN105097436B ,2015-11-25

[8]

一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法 [P].

甄建伟 .

中国专利 :CN110459508A ,2019-11-15

[9]

一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法 [P].

王全 .

中国专利 :CN102945793A ,2013-02-27

[10]

一种栅极氧化层的制作方法 [P].

张超然 ;

李赟 ;

周俊 .

中国专利 :CN108257860A ,2018-07-06

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