一种栅极氧化层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810055159.1

申请日：

2018-01-19

公开(公告)号：

CN108257860A

公开(公告)日：

2018-07-06

发明(设计)人：

张超然李赟周俊

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20180706
2018-07-06	公开	公开
2018-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20180119

共 50 条

[1]

栅极氧化层制作方法 [P].

陈晓波 .

中国专利 :CN101202220A ,2008-06-18

[2]

含氮栅极氧化层的制作方法 [P].

张红伟 .

中国专利 :CN103972071A ,2014-08-06

[3]

减薄栅极氧化层的方法及MOS器件的制作方法 [P].

赵连国 ;

彭坤 .

中国专利 :CN106298504A ,2017-01-04

[4]

栅极氧化层的制造方法 [P].

张洪强 ;

彭坤 ;

赵连国 ;

王峰 ;

王海莲 ;

李磊 ;

呼翔 .

中国专利 :CN104576343A ,2015-04-29

[5]

栅极氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105448686A ,2016-03-30

[6]

一种层叠栅极制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102446725A ,2012-05-09

[7]

栅极侧壁层的制作方法及MOS器件的制作方法 [P].

王海莲 ;

彭坤 ;

赵晓燕 .

中国专利 :CN104952723A ,2015-09-30

[8]

栅氧化层制作方法 [P].

林德成 ;

袁馨 .

中国专利 :CN102103992B ,2011-06-22

[9]

一种可提高均匀性的栅极氧化层的制作方法 [P].

杨林宏 ;

陈亮 .

中国专利 :CN101290882A ,2008-10-22

[10]

栅极氧化层生长方法以及CMOS管制作方法 [P].

张冬明 ;

刘巍 .

中国专利 :CN103489770A ,2014-01-01

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