栅极氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410283556.6

申请日：

2014-06-23

公开(公告)号：

CN105448686A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

刘佳磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	授权	授权
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657714185 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014102835566 申请日:20140623
2016-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法 [P].

虞肖鹏 ;

张复雄 .

中国专利 :CN101271840A ,2008-09-24

[2]

半导体器件栅极的制作方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101770944A ,2010-07-07

[3]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

尹晓明 ;

李玉科 .

中国专利 :CN116190443B ,2024-03-15

[4]

栅氧化层及半导体器件的制作方法 [P].

王津洲 ;

高大为 .

中国专利 :CN101728258A ,2010-06-09

[5]

半导体器件的器件层制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054697A ,2011-05-11

[6]

氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

张黎 .

中国专利 :CN112447497A ,2021-03-05

[7]

栅极的制作方法及半导体器件 [P].

董金珠 ;

宋化龙 ;

蒲月皎 .

中国专利 :CN105762067A ,2016-07-13

[8]

半导体器件的制作方法 [P].

潘周君 .

中国专利 :CN104752310A ,2015-07-01

[9]

半导体器件的制作方法 [P].

梁海慧 ;

刘佳磊 .

中国专利 :CN105336690A ,2016-02-17

[10]

半导体器件的制作方法 [P].

周朝礼 .

中国专利 :CN103794557A ,2014-05-14

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