栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710038449.7

申请日：

2007-03-22

公开(公告)号：

CN101271840A

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

虞肖鹏张复雄

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21316 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-24	公开	公开
2008-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-03-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101304940758 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2007100384497 公开日:20080924

共 50 条

[1]

栅氧化层及半导体器件的制作方法 [P].

王津洲 ;

高大为 .

中国专利 :CN101728258A ,2010-06-09

[2]

栅极氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105448686A ,2016-03-30

[3]

控制栅氧化层厚度的方法及半导体器件的制作方法 [P].

陈文丽 ;

蔡信裕 ;

汪宪国 ;

徐丹 .

中国专利 :CN101246851A ,2008-08-20

[4]

半导体器件的器件层制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054697A ,2011-05-11

[5]

半导体器件的制作方法 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN101989576A ,2011-03-23

[6]

半导体器件的制作方法 [P].

王国华 ;

吴汉明 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101777494B ,2010-07-14

[7]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101740393A ,2010-06-16

[8]

氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

张黎 .

中国专利 :CN112447497A ,2021-03-05

[9]

栅氧化层制作方法 [P].

林德成 ;

袁馨 .

中国专利 :CN102103992B ,2011-06-22

[10]

半导体器件的制作方法 [P].

潘周君 .

中国专利 :CN104752310A ,2015-07-01

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