半导体器件的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310738990.4
申请日
2013-12-27
公开(公告)号
CN104752310A
公开(公告)日
2015-07-01
发明(设计)人
潘周君
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161B ,2024-08-23
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161A ,2021-11-02
[3]
半导体器件的制作方法 [P]. 
顾靖 .
中国专利 :CN102347268B ,2012-02-08
[4]
半导体器件的制作方法 [P]. 
宁先捷 .
中国专利 :CN102097382B ,2011-06-15
[5]
半导体器件的制作方法 [P]. 
唐兆云 ;
何有丰 .
中国专利 :CN102082127A ,2011-06-01
[6]
半导体器件的制作方法 [P]. 
王新鹏 .
中国专利 :CN103165426B ,2013-06-19
[7]
半导体器件的制作方法 [P]. 
何有丰 ;
何永根 .
中国专利 :CN104465380B ,2015-03-25
[8]
半导体器件的制作方法 [P]. 
刘兵武 .
中国专利 :CN101996949B ,2011-03-30
[9]
半导体器件的制作方法 [P]. 
王国华 ;
吴汉明 ;
张海洋 .
中国专利 :CN101777494B ,2010-07-14
[10]
半导体器件的器件层制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN102054697A ,2011-05-11